研究目的
研究基于氮化镓的HEMT功率器件在重复高温工作下阈值电压(Vth)的温度依赖性稳定性。
研究成果
该研究为实际高温应用中功率器件的Vth稳定性提供了有效的理论参考，表明肖特基栅器件的Vth漂移相对较小，且所提出的分析模型与实验和仿真结果高度吻合。
研究不足
该研究聚焦于高达150°C的温度效应以及阈值电压（Vth）在重复高温操作下的稳定性。未探究更高温度或不同材料的影响。
宽禁带氮化镓基高电子迁移率晶体管功率器件中阈值电压稳定性与高温运行相关性的模型开发
DOI：10.3390/mi9120658
期刊：Micromachines
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
半导体功率器件在实际应用中，阈值电压（Vth）的温度依赖性稳定性是一个重要问题，尤其是在经历重复高温工作条件时。本研究探究了宽禁带氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMT）器件在高温工作下Vth解析模型及其稳定性。通过分析势垒高度、导带和极化电荷等物理参数的温度效应，揭示了Vth稳定性的机理。随后提出并建立了高温工作下的Vth解析模型，以研究测量温度和重复周期对Vth稳定性的影响。通过将理论计算数据与实验测量及技术计算机辅助设计（TCAD）仿真结果进行对比，验证了该模型的有效性。本研究为实际高温应用中功率器件的Vth稳定性提供了有效的理论参考。
作者：
Huolin Huang，Feiyu Li，Zhonghao Sun，Yaqing Cao
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