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[IEEE 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 西班牙马德里(2018年9月23日-25日)] 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 具有集成有源限幅器的鲁棒X波段氮化镓低噪声放大器

DOI：10.23919/EuMIC.2018.8539928 出版年份：2018 更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要： 本文报道了采用商用0.25微米微带GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺的X波段单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）的设计与测量。通过测量中采用的新型有源限幅方法，单芯片实现了低于1.75分贝的噪声系数（NF）和高于16瓦连续波输入功率的耐受能力。据作者所知，该LNA在给定噪声系数水平下具有最高的输入功率处理性能——尽管晶体管并非针对低噪声操作优化，且输入匹配网络是在噪声系数与优于10分贝的输入回波损耗之间折衷实现的。该成果对实现单芯片GaN前端收发机架构具有重要前景。
作者： ?a?da? Ya?basan，Ahmet Aktu?
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

采用商用0.25微米微带GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺设计并测试X波段单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA），实现单芯片噪声系数（NF）低于1.75分贝且连续波输入功率承受能力高于16瓦。

研究成果

采用商用0.25微米氮化镓-碳化硅（GaN-on-SiC）工艺设计并实现了高鲁棒性、紧凑型低噪声放大器（LNA）。通过集成新型有源限幅电路，在X波段实现了单芯片在给定噪声系数水平下的最高输入功率处理性能。

研究不足

恢复时间显著大于X波段雷达应用通常所需的200-300纳秒。

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