研究目的
研究铜插层对ZrSe2电子结构的影响及其半导体-金属转变背后的机制。
研究成果
铜插层进入ZrSe2导致半导体-金属转变,这是由于Zr 4d/Se 4p带隙减小所致。直接带隙宽度可渐变调节及金属-半导体转变可控的特性,使插层ZrSe2成为未来电子器件的潜力材料。
研究不足
该研究仅限于铜浓度x ≤ 0.3的情况。样品中过量锆的存在已得到严格控制,但未考虑其他杂质或缺陷的影响。建议通过额外的光学实验进一步验证ZrSe?的直接带隙特性。
研究目的
研究铜插层对ZrSe2电子结构的影响及其半导体-金属转变背后的机制。
研究成果
铜插层进入ZrSe2导致半导体-金属转变,这是由于Zr 4d/Se 4p带隙减小所致。直接带隙宽度可渐变调节及金属-半导体转变可控的特性,使插层ZrSe2成为未来电子器件的潜力材料。
研究不足
该研究仅限于铜浓度x ≤ 0.3的情况。样品中过量锆的存在已得到严格控制,但未考虑其他杂质或缺陷的影响。建议通过额外的光学实验进一步验证ZrSe?的直接带隙特性。
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