研究目的
通过精确预测器件级功率损耗并开发包含非理想效应的紧凑建模方法，研究电路运行中功率损耗的降低。
研究成果
研究表明，通过考虑所有干扰MOSFET栅极控制的因素，可以实现精确预测功率损耗的紧凑模型开发。该研究强调了优化器件以提高栅极可控性及电路工作条件对实现高效功率设计的重要性。
研究不足
该研究聚焦于MOSFET及其衍生器件，可能限制其对其他半导体设备的适用性。精确建模所有非理想效应的复杂性也可能带来挑战。
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[第48届IEEE欧洲固态器件研究会议（ESSDERC 2018）- 德累斯顿（2018年9月3日至6日）] 2018年第48届欧洲固态器件研究会议（ESSDERC）- 面向高效功率电路设计的紧凑建模
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[第48届IEEE欧洲固态器件研究会议（ESSDERC 2018）- 德累斯顿（2018年9月3日至6日）] 2018年第48届欧洲固态器件研究会议（ESSDERC）- 面向高效功率电路设计的紧凑建模
DOI：10.1109/ESSDERC.2018.8486858
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
降低电路运行中的功率损耗是节能的紧迫任务。为此，精确预测器件级功率损耗是先决条件。本文提出了核心紧凑建模方法，该方法可轻松扩展以纳入需考虑的非理想效应。利用所开发的模型证明，任何阻碍栅极控制的现象都会成为功率损耗增加的根源?；诟媒舸战７椒ǎ岷匣〉缏诽致哿耸迪值凸β仕鸷牡挠呕桨?。
作者：
M. Miura-Mattausch，H. Kikuchihara，T. Kajiwara，Y. Tanimoto，A. Saito，T. Iizuka，D. Navarro，H. J. Mattausch
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