研究目的
利用计算机辅助设计版图分析，提高发现关键缺陷的几率，同时缩短半导体制造中检测和缺陷表征的周期时间。
研究成果
通过模式规则定义来确定弱点的检测方法已针对图案缺陷和电压对比连接缺陷进行了测试。从设计阶段到制造工艺的工艺失效知识已被积累并用作构建弱模式规则的数据库。利用这种模式分析方法指导光学和电子束晶圆成像，从而缩短了提升器件良率的学习周期。
研究不足
由于光学检测区域存在载物台位移，其检测范围会延伸至关键图案之外，从而对关键图案以外的扩展区域进行检测，并从这些区域报告缺陷。
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半导体制造中缺陷检测的CAD布局分析
DOI：10.1080/03772063.2018.1517617
期刊：IETE Journal of Research
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
我们目睹了消费电子设备尺寸持续缩小且电池续航更长的趋势。专用集成电路技术实现了将多个电子器件集成于同一晶粒上，同时通过优化晶体管和器件面积降低了功耗?？⒋死喟氲继骞ひ占鞍氲继逯圃旃讨械募嗫胤椒ㄊ且幌钪卮筇粽健Ｃ看沃饕瞥掏瓿珊?，晶圆都需接受检测以发现可能导致后续芯片失效的异常情况。采用紫外线或深紫外线的光学检测旨在发现晶圆上可能"可见"的物理缺陷。为监测金属化制程中的电连接故障，专门设计了电子束检测方法。本研究运用计算机辅助设计版图分析来指导光学与电子束晶圆检测的缺陷检查，旨在提高发现关键缺陷的概率并缩短检测与缺陷表征的周期时间。该方案已与同批次晶圆的现有基准检测结果进行对比验证。
作者：
Abhishek Vikram，Vineeta Agarwal，Anshul Agarwal
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