研究目的
提出一种基于F8BT与PVP两种聚合物复合材料的溶液法制备阻变存储器器件,用于未来柔性低功耗非易失性存储应用。
研究成果
基于F8BT:PVP复合材料的阻变器件展现出稳定的非易失性双极性阻变特性,具有高ROFF/RON比值、优异的耐久性和保持时间。弯曲测试证实了该器件的机械鲁棒性。该复合材料在未来的柔性低功耗非易失性存储器应用中展现出潜力。
研究不足
由于旋涂技术在制备顶电极方面存在局限性,所提出的方法无法制造交叉阵列。在稳定性、耐久循环次数和长期保持时间方面仍有改进空间,以满足未来可穿戴电子应用的需求。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用旋涂技术在柔性ITO涂层PET基底上制备阻变器件,活性层为F8BT与PVP聚合物复合材料。
2:样品选择与数据来源:
所用材料包括F8BT粉末、PVP粉末、THF溶剂、银环氧树脂及ITO涂层PET基底。复合材料溶液按F8BT与PVP的1:
3:
1和3:1比例配制。
4:实验设备与材料清单:
使用安捷伦B1500A半导体特性分析仪进行电学表征,JEOL JSM-7600F场发射扫描电镜观察表面形貌,旋涂仪用于器件制备。
5:实验流程与操作步骤:
通过旋涂法将复合材料溶液沉积于ITO涂层PET基底,经固化处理后蒸镀Ag顶电极,通过电学测试分析阻变特性。
6:数据分析方法:
采用对数坐标I-V斜率拟合曲线分析导电机制,识别欧姆传导与空间电荷限制传导区域。
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