研究目的
研究B掺杂对RuAl2半导体化合物的占据机制及其电子和机械性能的影响。
研究成果
B掺杂改善了RuAl2半导体材料的电子性能和延展性。B倾向于占据B(4)位点，Ru-B和Al-B键的形成有助于提高延展性，尽管会削弱抗体积和剪切变形的能力。
研究不足
该研究仅限于理论计算，未包含实验验证。重点在于硼掺杂，未考虑其他掺杂元素或组合。
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基于第一性原理计算研究硼掺杂对RuAl?半导体材料电子性能与延展性的改善
DOI：10.1007/s11837-018-3283-4
期刊：JOM
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
采用第一性原理计算研究了B掺杂对RuAl2半导体化合物的占据机制及其电子和力学性能的影响?？悸橇怂闹挚赡艿腂掺杂位点。结果表明，B掺杂的RuAl2具有热力学稳定性。特别是，与其他位点相比，B元素更倾向于占据B(4)位点。重要的是，B掺杂通过将Al 3p和Ru 4d态从费米能级(EF)移向价带，改善了RuAl2的电子性能。尽管B掺杂降低了RuAl2抵抗体积和剪切变形的能力以及弹性刚度，但由于Ru-B和Al-B键的形成，它提高了延展性。因此，可以得出结论，B是一种有利于改善RuAl2半导体化合物电子性能和延展性的掺杂元素。
作者：
Y. PAN，W.M. GUAN
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