研究目的
通过数值模拟从理论上研究基于非极性取向AlGaN/GaN异质结构的共振隧穿二极管（RTDs）的性能。
研究成果
与非极性取向RTD相比，极性取向RTD具有更高的峰值电流和PVCR、更低的峰值电压、优异的对称性、I-V特性高度可重复性以及更高的本征响应频率，使其成为太赫兹电子器件的理想候选材料。
研究不足
该研究是理论性的，基于数值模拟，可能无法完全捕捉所有现实世界的物理现象和制造缺陷。
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基于非极性取向AlGaN/GaN异质结构的共振隧穿二极管性能
DOI：10.7567/JJAP.57.070303
期刊：Japanese Journal of Applied Physics
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
基于非极性取向AlGaN/GaN异质结构的共振隧穿二极管（RTDs）性能已通过数值模拟进行理论研究。模拟结果表明：沿非极性取向生长的RTDs可产生电流-电压（I-V）特性，其峰值电流、峰谷比（PVCR）和峰值电压分别比传统极性取向生长的RTDs高出约3.5倍和1.5倍、低约1.1倍。结果还显示出优异的对称性、I-V特性高重复性以及高本征响应频率。
作者：
Taotao Rong，Lin-An Yang，Ziyue Zhao，Lin Yang，Yue Hao
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