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通过使用具有不同高K值传感薄膜的扩展栅极FET传感器中的电容耦合实现增强的pH灵敏度

DOI:10.1016/j.sse.2018.11.008 期刊:Solid-State Electronics 出版年份:2019 更新时间:2025-09-04 15:30:14
摘要: 研究了SnO2、HfO2、ZrO2和Ta2O5等高k值传感膜在双栅扩展栅场效应晶体管(EGFET)中的传感特性。通过采用双栅结构,由于电容耦合效应实现了超过传统能斯特极限灵敏度(25°C时为59.15 mV/pH)的高灵敏度。结果表明,具有高介电常数的Ta2O5传感膜的双栅EGFET显示出最高的478.0 mV/pH灵敏度,同时具有优异的迟滞电压和漂移率特性。
作者: Joo-Won Kang,Won-Ju Cho
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研究概述 实验方案 设备清单

研究双栅极扩展栅场效应晶体管(EGFET)中各种高k值传感膜的传感特性,以实现超过传统能斯特极限的增强型pH灵敏度。

采用Ta2O5敏感膜的双栅结构EGFET实现了478.0 mV/pH的最高灵敏度,超越了能斯特极限,并展现出优异的迟滞电压和漂移率特性,使其成为高性能生物传感技术的理想候选方案。

该研究聚焦于采用不同高k值传感膜的EGFET传感器的灵敏度与可靠性,但未探讨这些传感器在实际生物传感器应用中的集成情况,也未研究其在多变环境条件下的长期稳定性。

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