1：实验设计与方法选择：

该研究采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，通过薄锗缓冲层在200毫米硅衬底上外延生长InGaP/GaAs异质结双极晶体管（HBT）结构。通过数值模拟优化基区掺杂浓度、基区层厚度及次集电区掺杂浓度。

2：样本选择与数据来源：

样本制备于直接生长在硅衬底薄锗层上的外延薄膜。

3：实验设备与材料清单：

外延生长使用MOCVD，器件制备采用标准光刻工艺，台面形成采用湿法刻蚀，n型与p型接触分别使用Ni/GeAu/Ni/Au和Ti/Au金属体系。

4：实验流程与操作步骤：

生长顺序依次为n型GaAs次集电区、n型GaAs集电区、p型GaAs基区层、n型In0.49Ga0.51P发射极、n型GaAs次发射极及用于欧姆接触的n型InGaAs帽层。

5：49Ga51P发射极、n型GaAs次发射极及用于欧姆接触的n型InGaAs帽层。 数据分析方法：

5. 数据分析方法：通过共发射极电流-电压特性曲线、Gummel图及击穿电压测量分析HBT性能。