研究目的
制备一种结合聚酰亚胺（PI）和聚二甲基硅氧烷（PDMS）优势的混合薄膜，兼具透明性、热稳定性和可拉伸性，并实现超疏水性，用于可穿戴设备和柔性混合电子器件。
研究成果
该研究成功制备出具有超疏水特性的混合薄膜，在实现77%透光率的同时，使水滴接触角达到179°、接触角滞后为10°。该制备工艺展现了对柱体高度和步进尺寸的精准控制，为柔性混合电子器件与可穿戴设备应用提供了潜在可能。未来研究可进一步探索该制备工艺的耐久性与规模化可行性。
研究不足
该研究未探讨超疏水性能在不同环境条件下的长期耐久性。此外，制备工艺可能需针对大规模生产进行优化。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用聚合物浇铸法制备具有微柱结构的超疏水基底。设计原理是通过调控柱体高度和间距尺寸来实现高水滴接触角（WDCA）与低接触角滞后（CAH）。
2：样品选择与数据来源：
样品基于垂直刻蚀柱状结构的母版硅片（Si晶圆）制备，经光刻胶与聚酰亚胺溶液处理涂覆形成薄膜。
3：实验设备与材料清单：
设备包括深反应离子刻蚀（DRIE）系统、旋涂机、接触式对准机（MIADAS-60M）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）装置及光学分析设备（LAMBDA 750S紫外/可见/近红外分光光度计）。材料包含硅晶圆、光刻胶AZ9260、显影液AZ-300MIF、聚酰亚胺溶液及PDMS。
4：显影液AZ-300MIF、聚酰亚胺溶液及PDMS。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：依次进行硅晶圆柱状结构刻蚀、O2等离子体处理、光刻胶旋涂、光刻定义柱体图案、沉积SiO2牺牲层、聚酰亚胺溶液旋涂与烘烤，最后刻蚀牺牲层释放超疏水聚酰亚胺基底。
5：数据分析方法：
通过测量静态水滴接触角与接触角滞后评估超疏水性，采用光学分析测定透光率。
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deep reactive ion etching
DRIE
Vertically etching pillar structures on a Si wafer
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spin coater
Coating samples with photoresist and polyimide solution
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contact aligner machine
MIADAS-60M
Photolithographically defining pillar patterns
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PECVD apparatus
Depositing SiO2 as a sacrificial layer
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LAMBDA 750S UV/Vis/NIR
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