研究目的
研究纳米多孔硅衬底在薄层转移应用中结构与光学性能的优化。
研究成果
研究表明，在≥900°C温度下加热纳米多孔硅可去除原生二氧化硅和化学杂质，促使多孔层重组并在表层形成连续硅膜。当烧结温度达到≥1100°C时，材料获得最佳结构与光学特性，适用于太阳能电池技术中高性能Si-Ge薄膜的异质外延生长。
研究不足
该研究仅限于900至1100摄氏度烧结温度对纳米多孔硅结构和光学特性的影响。若要在太阳能电池技术中进一步优化和应用，可能还需要开展更多研究。
1：实验设计与方法选择：
研究采用重掺硼硅片在氢氟酸电解液中进行电化学蚀刻，随后在超高真空化学气相沉积反应器中于900至1100°C的氢气氛围下进行原位烧结。
2：样品选择与数据来源：
使用(100)晶向、低电阻率（0.01 Ω cm?1）的p型硅片。
3：01 Ω cm?1）的p型硅片。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：原子力显微镜（PSIA XE-100 AFM）、扫描电子显微镜（Orsay Physics公司的Lyra Tescan）、透射电子显微镜（Jeol 2010F）、光致发光光谱（PL）、时间分辨光致发光（TRPL）、拉曼光谱（Horiba LabRam ARAMIS显微拉曼系统）及傅里叶变换红外光谱（FT-IR）（Nicolet? iS? 5N FT-NIR光谱仪）。
4：实验流程与操作步骤：
样品在35%氢氟酸溶液中进行阳极氧化处理，经高温退火后，采用上述技术进行表征。
5：数据分析方法：
通过数据分析探究烧结多孔硅的结构与光学特性。
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获取完整内容-
Transmission Electron Microscopy
Jeol 2010F
Jeol
Investigation of structural properties of the porous silicon.
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Atomic Force Microscopy
PSIA XE-100 AFM
PSIA
Investigation of morphological properties of the porous silicon.
-
Scanning Electron Microscopy
Lyra Tescan
Orsay Physics
Investigation of morphological properties of the porous silicon.
-
Photoluminescence Spectroscopy
Measurement of optical properties of the porous silicon.
-
Time Resolved Photoluminescence
Measurement of carrier recombination process in sintered porous silicon.
-
RAMAN spectroscopy
Horiba LabRam ARAMIS
Horiba Jobin Yvon
Measurement of optical properties of the porous silicon.
-
Fourier-transform infrared spectroscopy
Nicolet? iS? 5N FT-NIR Spectrometer
Nicolet
Investigation of chemical properties of the porous silicon.
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