研究目的
研究巯丙基三乙氧基硅烷(MPTES)浓度对纳米结构选择性和电响应的影响。
研究成果
该研究表明，纳米-IDE表现出类似电容性反应模型的特性，其性能（包括灵敏度）可参照电容模型进行研究。电导率随MPTES浓度的增加而升高，表明Si-砷键长缩短，从而导致带隙变窄。
研究不足
该研究聚焦于MPTES浓度对纳米结构电学响应的影响，但未探讨表面修饰工艺的优化潜力或该传感器在实际场景中的应用。
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巯丙基三乙氧基硅烷（MPTES）浓度对纳米结构选择性和电响应的影响
DOI：10.1088/1757-899X/454/1/012184
期刊：IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
通过巯丙基三乙氧基硅烷（MPTES）进行表面改性以增强基于纳米叉指电极（nano-IDE）传感器的电学性能，硅基活性区域涂覆了MPTES。使用阻抗分析仪通过观察不同频率下阻抗的变化来测试改性后纳米叉指电极的电学特性。随着MPTES浓度从1%增加到5%，阻抗呈现上升趋势。由于MPTES的表面钝化作用使载流子迁移率提高，电导率随之增加。这种浓度增加导致电导率随载流子迁移率的提升而增大，表明硅-砷键长缩短，进而使带隙减小。同样地，器件对表面改性的响应表现出电容性反应特性。
作者：
Ammar B. Mosbah，Tijjani Adam，Mohammed Mohammed，Omar S Dahham，U. Hashim，Nik Z. Noriman
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