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二次电子发射在薄膜相位板充电中的作用

DOI:10.1017/s1431927616001173 期刊:Microscopy and Microanalysis 出版年份:2016 更新时间:2025-11-21 11:20:48
摘要: 过去几年中,物理相位板(PP)已成为透射电子显微镜(TEM)中增强弱相位物体对比度的有效工具。薄膜相位板(如泽尼克相位板和希尔伯特相位板)基于微结构薄膜的平均内势[1,2]。通常采用非晶碳(aC)薄膜,通过调整其厚度在未散射与散射电子间产生明确相位差。然而高能电子束照射会导致aC薄膜发生不可逆退化,引发静电充电并影响相位调制特性。近期研究者甚至利用这种充电效应开发出无孔相位板[3,4]。静电充电在薄膜相位板应用中起核心作用,但其机理尚未明晰。本研究表明充电过程主要由二次电子发射主导。为此采用不同材料制备希尔伯特相位板,研究其在电子束照射下的充电行为。除aC薄膜外,还使用金属玻璃合金Pd77.5Cu6.0Si16.5(PCS)制作相位板。该合金具有非晶结构和极高电导率(比aC高三个数量级)[5,6],且表现出强抗氧化性,意味着PCS薄膜充电效应更弱。
作者: M. Dries,R. Janzen,T. Schulze,J. Schundelmeier,S. Hettler,U. Golla-Schindler,B. Jaud,U. Kaiser,D. Gerthsen
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研究概述 实验方案 设备清单

研究二次电子发射在透射电子显微镜薄膜相位板充电中的作用。

研究表明,薄膜相位板的充电现象主要由二次电子发射主导。aC薄膜表现出较低的充电倾向,而PCS合金在电子能量高达20 keV时呈现正电荷状态。相较于纯aC薄膜,碳含量大幅降低的aC/PCS希尔伯特相位板在电子束照射下的稳定性得到提升。

该研究仅限于使用aC和PCS合金材料制备希尔伯特光子晶体(Hilbert PPs)。充电机制尚未完全明确,研究认为束流诱导污染可能是导致充电现象的一个可能原因。

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