研究目的
研究B掺杂磷烯/石墨烯异质结的结构和电子特性，重点关注B掺杂如何增强稳定性和电荷转移。
研究成果
磷烯/石墨烯异质结构中的硼掺杂通过强化学键合和层间电荷转移增强稳定性，打开高达0.53电子伏特的带隙，并改善电子性能，使其在纳米电子器件和电池等储能器件应用中具有前景。
研究不足
该研究依赖于计算模拟，可能无法完全反映实验条件。所采用的PBE泛函会低估带隙，且结果仅针对所建模的异质结构，若未经实验验证，其普适性可能仅限于特定体系而难以推广至其他系统或实际应用。
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硼掺杂增强磷烯/石墨烯异质结构的稳定性
DOI：10.1002/adts.201800176
期刊：Advanced Theory and Simulations
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:23:52
摘要：
二维材料异质结构具有较大的比表面积和独特的电子特性，被广泛应用于纳米电子设备、储能器件和传感器中。掺杂可提升异质结构的稳定性。本研究采用第一性原理计算方法，分析了硼掺杂磷烯/石墨烯异质结构的结构与电子特性。磷烯中的硼掺杂增强了从磷烯到石墨烯的层间电荷转移。值得注意的是，硼掺杂在界面处形成了强化学键，从而提高了磷烯/石墨烯异质结构的稳定性。硼掺杂使带隙增大至0.53电子伏特。
作者：
Jiajie Zhu，Appala Naidu Gandi，Mu Gu
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