研究目的
利用一维t-Se与二维ReS2的混合维度异质结构开发高性能双通道光电晶体管，以增强光响应并缩短响应时间。
研究成果
t-Se/ReS2异质结构通过高效的电荷转移和II型能带排列显著增强了光响应并缩短了响应时间，展示了混合维度异质结构在高光电性能器件中的潜力。
研究不足
该研究仅限于特定材料（t-Se和ReS2）及生长条件；若要实现可扩展性及与其他器件的集成，可能还需进一步优化。响应时间虽已改善，但对于超快应用场景仍可进一步缩短。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过化学气相沉积（CVD）法生长t-Se/ReS?异质结构以构建双通道光电晶体管，该设计利用II型能带排列实现高效电荷分离。
2：样品选择与数据来源：
ReS?薄膜生长于云母衬底，t-Se纳米带生长于其上。采用显微与光谱技术对样品进行表征。
3：实验设备与材料清单：
设备包括CVD炉、光学显微镜、SEM、AFM、TEM、拉曼光谱仪、电子束光刻系统、电子束蒸发仪、Keithley 4200 SCS半导体参数分析仪、Lakeshore探针台及激光光源；材料包含ReO?粉末、硫粉、硒粉、云母衬底、SiO?/Si衬底、Ti/Au电极。
4：实验流程与操作步骤：
ReS?在600°C氩气流中生长10分钟；t-Se在300°C真空环境生长30分钟。将薄膜转移至SiO?/Si衬底后，通过氧等离子体与光刻进行图案化，采用电子束光刻和蒸发沉积Ti/Au电极，在校准功率光照下进行电学与光电测量。
5：数据分析方法：
通过转移曲线、输出曲线、响应度与探测率计算及时变光电流测量进行数据分析。
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