1：实验设计与方法选择：

基于先前研究，采用专为高生长速率设计的水平金属有机气相外延（MOVPE）反应器。使用三甲基镓（TMGa）、三甲基铟（TMIn）、三甲基铝（TMAl）、砷烷（AsH3）、磷烷（PH3）、乙硅烷（Si2H6）和二乙基锌（DEZ）作为源材料。选用具有特定晶向的砷化镓（GaAs）衬底。通过调节TMGa供应量和V/III比来改变生长速率。

2：3）、磷烷（PH3）、乙硅烷（Si2H6）和二乙基锌（DEZ）作为源材料。选用具有特定晶向的砷化镓（GaAs）衬底。通过调节TMGa供应量和V/III比来改变生长速率。 样品选择与数据来源：

2. 样品选择与数据来源：直径2英寸、晶向为(100)±0.5°且向[110]方向有2°偏角的GaAs衬底。样品包括非掺杂GaAs层及用于太阳能电池的掺杂层。

3：5°且向[110]方向有2°偏角的GaAs衬底。样品包括非掺杂GaAs层及用于太阳能电池的掺杂层。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：水平MOVPE反应器（日本大阳日酸HR3335）、质量流量控制器、TMGa、TMIn、TMAl、AsH3、PH3、Si2H6、DEZ、GaAs衬底、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、配备405 nm氮化铟镓（InGaN）激光二极管的荧光光谱仪（PL）、电化学电容-电压（ECV）剖面仪、二次离子质谱（SIMS）、光刻掩膜版、用于欧姆接触的AuGe/Ni和Ag/Au金属。

4：5）、质量流量控制器、TMGa、TMIn、TMAl、AsHPHSi2HDEZ、GaAs衬底、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、配备405 nm氮化铟镓（InGaN）激光二极管的荧光光谱仪（PL）、电化学电容-电压（ECV）剖面仪、二次离子质谱（SIMS）、光刻掩膜版、用于欧姆接触的AuGe/Ni和Ag/Au金属。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：在不同生长速率（最高达120 μm/h）和V/III比（5至40）条件下生长GaAs层。通过SEM截面测量厚度，AFM测量表面粗糙度，低温PL评估晶体质量，ECV测定载流子浓度，SIMS分析碳浓度。制备具有特定层结构的太阳能电池，并在AM1.5G光照下测量I-V特性与外量子效率（EQE）。

5：5G光照下测量I-V特性与外量子效率（EQE）。 数据分析方法：

5. 数据分析方法：对厚度均匀性、载流子浓度、PL光谱强度及太阳能电池性能参数（短路电流密度Jsc、开路电压Voc、填充因子FF、转换效率）进行统计对比分析。