1：实验设计与方法选择：

采用改进的一锅合成法制备SnS纳米片，通过改变反应温度、前驱体摩尔比及油胺(OLA)用量，并进行退火处理以研究其对微观结构和性能的影响。评估了SnS薄膜及FTO/SnS/CdS/Pt光阴极的光电化学(PEC)性能。

2：样品选择与数据来源：

以SnCl2·2H2O、硫粉和OLA为前驱体合成SnS纳米片，薄膜沉积于FTO基底。数据来自SEM、XRD、拉曼光谱、EDS、漫反射光谱及PEC测试等表征手段。

3：2O、硫粉和OLA为前驱体合成SnS纳米片，薄膜沉积于FTO基底。数据来自SEM、XRD、拉曼光谱、EDS、漫反射光谱及PEC测试等表征手段。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：材料包括SnCl2·2H2O(≥98.0%)、硫粉、油胺(OLA)、乙醇、Na2SO4、FTO基底、CdS和Pt。设备包含三颈烧瓶、退火管式炉、拉曼光谱仪(JY H800UV)、X射线衍射仪(Rigaku D/max 220 kV)、扫描电子显微镜(FEI Sirion 200)、漫反射光谱仪(Jasco UV-570)、CHI660B电化学工作站、光源(AM 1.5G, 100 mW/cm2)、铂箔对电极、Ag/AgCl参比电极及溅射系统(Baltec 500)。

4：0%)、硫粉、油胺(OLA)、乙醇、Na2SOFTO基底、CdS和Pt。设备包含三颈烧瓶、退火管式炉、拉曼光谱仪(JY H800UV)、X射线衍射仪(Rigaku D/max 220 kV)、扫描电子显微镜(FEI Sirion 200)、漫反射光谱仪(Jasco UV-570)、CHI660B电化学工作站、光源(AM 5G, 100 mW/cm2)、铂箔对电极、Ag/AgCl参比电极及溅射系统(Baltec 500)。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：合成过程包括在三颈烧瓶中氩气?；は禄旌锨扒?，加热至特定温度(如70°C后升至260-300°C)并保持设定时间，收集产物溶于乙醇后沉积于FTO。退火在N2气氛下250-400°C进行60分钟。CdS通过化学浴沉积，Pt采用溅射法制备。表征包含结构、形貌、光学及PEC分析。

5：数据分析方法：

带隙采用Kubelka-Munk方程计算。PEC数据通过电化学工作站的电流-电位及电流-时间曲线分析。通过EDS等测量数据的统计分析确定组分比例及性能参数。