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硫化锑纳米线的从头算计算

DOI:10.1016/j.physb.2019.01.005 期刊:Physica B: Condensed Matter 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 15:23:52
摘要: 我们采用基于密度泛函理论(DFT)的WIEN2k软件包中的全势线性缀加平面波(FP-LAPW)方法,对正交晶系硫化锑(Sb2S3)纳米线进行了第一性原理计算,以研究其电子和光学性质。交换关联能函数采用Engel-Vosko广义梯度近似(EV-GGA)。通过超胞法模拟了沿[001]方向生长、两侧为真空层的纳米线结构,并将计算结果与本团队先前计算的Sb2S3体材料进行对比。研究发现Sb2S3纳米线的电子和光学性质发生显著变化:计算得到的态密度(DOS)高于体材料;能带结构显示其间接带隙约为0.12 eV,远小于体材料值(但该数值仍明显低于实验值)。通过计算光子能量高达20 eV的复介电常数,我们推导出包括吸收系数、反射率、折射率和能量损失函数在内的光学性质,以理解一维(1-D)纳米结构中Sb2S3的光学行为。分析表明该纳米线展现出独特的一维光学特性,其在可见光范围内的吸收系数显著高于体材料。
作者: Afiq Radzwan,Rashid Ahmed,Amiruddin Shaari,Abdullahi Lawal
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研究概述 实验方案 设备清单

采用第一性原理计算研究硫化锑(Sb2S3)纳米线的电子和光学性质,以理解从块体到纳米线结构的变化。

Sb2S3纳米线由于量子限域效应,表现出0.12电子伏特的间接带隙,显著低于体材料值。其态密度更高且轨道贡献发生变化。光学性质显示可见光范围内吸收系数和反射率增强,使其在太阳能电池应用中具有潜力。但带隙被低估的情况表明,未来研究需要更先进的计算方法。

与实验值相比,采用EV-GGA的DFT计算会低估带隙。该研究仅限于计算方法,未包含实验验证。超胞法可能无法完全捕捉所有量子效应,而更精确但成本更高的GW近似等方法或能改善结果。

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