1：实验设计与方法选择：

采用水平管式炉系统的蒸汽输运法，在SiO2(300 nm)/Si和剥离石墨烯衬底上生长晶体VO2纳米结构。该方法因其能制备晶体纳米结构而被选用。

2：样品选择与数据来源：

使用带有300 nm SiO2层的硅片（1 cm x 1 cm或2 cm x 2 cm）。通过3M思高胶带从高取向热解石墨(HOPG)剥离石墨烯纳米片并转移至硅片。石墨烯层数通过拉曼光谱确认。

3：实验设备与材料清单：

设备包括水平管式炉、氧化铝坩埚、电容压力计(MKS仪器626B11TQE)、场发射扫描电镜(FEI Sirion)、光学显微镜(Leica DM500)、拉曼光谱仪(Renishaw inVia Qontor和NOST FEX)、透射电镜(JEOL JEM-2100F HR)、聚焦离子束(FEI Helios NanoLab)和X射线光电子能谱仪(ThermoFisher Scientific K-Alpha)。材料包括四氧化二钒粉末(V2O4，99.9%，Sigma-Aldrich 215821)、高纯氩气(99.999%)、丙酮、乙醇、去离子水和3M思高胶带。

4：0)、拉曼光谱仪(Renishaw inVia Qontor和NOST FEX)、透射电镜(JEOL JEM-2100F HR)、聚焦离子束(FEI Helios NanoLab)和X射线光电子能谱仪(ThermoFisher Scientific K-Alpha)。材料包括四氧化二钒粉末(V2O4，9%，Sigma-Aldrich 215821)、高纯氩气(999%)、丙酮、乙醇、去离子水和3M思高胶带。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：衬底依次经丙酮、乙醇和去离子水超声清洗后氮气吹干。将石墨烯转移至硅片。源材料(V2O4粉末)在炉中1000°C蒸发。衬底置于下游500°C至800°C区间。腔室基础压强低于5×10^-2 Pa，通入氩气。载气流速50-1000 sccm，通过闸阀维持生长压强0.4 kPa或101 kPa。生长时间5小时。利用场发射扫描电镜、光学显微镜、拉曼光谱、透射电镜和X射线光电子能谱分析形貌与晶体结构。

5：4 kPa或101 kPa。生长时间5小时。利用场发射扫描电镜、光学显微镜、拉曼光谱、透射电镜和X射线光电子能谱分析形貌与晶体结构。 数据分析方法：

5. 数据分析方法：通过拉曼光谱鉴定VO2物相和石墨烯质量。分析透射电镜和场发射扫描电镜图像获取形貌与晶体结构。采用Avantage软件进行XPS峰拟合分析衬底官能团。