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[2018年IEEE电气工程与光子学国际会议(EExPolytech) - 俄罗斯圣彼得堡(2018.10.22-2018.10.23)] 2018年IEEE电气工程与光子学国际会议(EExPolytech) - 利用拉曼光谱研究硅结构的相组成与形貌以确定结晶度参数

DOI:10.1109/EExPolytech.2018.8564440 出版年份:2018 更新时间:2025-09-23 15:23:52
摘要: 本研究旨在探究微晶硅薄膜的相组成对工艺参数的依赖性。通过等离子体化学气相沉积法(PECVD)制备了微晶硅薄膜,并采用拉曼光谱分析了所得薄膜的相组成及其结晶度与结构之间的关联。结果表明:通过控制压力、放电功率和硅烷流量等关键工艺参数,可使结晶度参数达到50%-70%范围。基于实验数据,提出了调控结晶度参数的建议方案,该方案拟应用于硅基多孔结构的制备过程。
作者: Veniamin Koshevoi,Alexander Mustafayev,Anton Belorus,Andrei Pastukhov,Vladimir Levitsky,Vyacheslav Moshnikov,Alexander Lenshin
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研究概述 实验方案 设备清单

研究微晶硅薄膜的相组成对工艺参数的依赖性。

微晶硅薄膜的结晶度随衬底温度升高而增加,在2.5毫巴压力下达到峰值,随硅烷流量增加而降低,随放电功率增加而升高。氢气在结晶过程中起关键作用,这些发现为控制硅基多孔结构的结晶度提供了建议,并计划进一步研究其光致发光特性。

该研究仅限于特定范围的工艺参数(例如温度最高180°C,压力最高3.5毫巴),可能未涵盖所有可能的条件;潜在的激光诱导结构变化虽已缓解但未完全消除;未来需进一步研究以应用于多孔硅结构。

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