研究目的
研究微晶硅薄膜的相组成对工艺参数的依赖性。
研究成果
微晶硅薄膜的结晶度随衬底温度升高而增加,在2.5毫巴压力下达到峰值,随硅烷流量增加而降低,随放电功率增加而升高。氢气在结晶过程中起关键作用,这些发现为控制硅基多孔结构的结晶度提供了建议,并计划进一步研究其光致发光特性。
研究不足
该研究仅限于特定范围的工艺参数(例如温度最高180°C,压力最高3.5毫巴),可能未涵盖所有可能的条件;潜在的激光诱导结构变化虽已缓解但未完全消除;未来需进一步研究以应用于多孔硅结构。
研究目的
研究微晶硅薄膜的相组成对工艺参数的依赖性。
研究成果
微晶硅薄膜的结晶度随衬底温度升高而增加,在2.5毫巴压力下达到峰值,随硅烷流量增加而降低,随放电功率增加而升高。氢气在结晶过程中起关键作用,这些发现为控制硅基多孔结构的结晶度提供了建议,并计划进一步研究其光致发光特性。
研究不足
该研究仅限于特定范围的工艺参数(例如温度最高180°C,压力最高3.5毫巴),可能未涵盖所有可能的条件;潜在的激光诱导结构变化虽已缓解但未完全消除;未来需进一步研究以应用于多孔硅结构。
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