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[IEEE 2018国际微波与毫米波技术会议（ICMMT）- 中国成都（2018年5月7日-2018年5月11日）] 2018年国际微波与毫米波技术会议（ICMMT）- 面向毫米波5G基站的宽带1dB噪声系数砷化镓低噪声放大器

DOI：10.1109/ICMMT.2018.8563975 出版年份：2018 更新时间：2025-09-23 15:22:29
摘要： 一款面向毫米波5G基站应用的宽带低噪声放大器（LNA）采用0.1微米InGaAs pHEMT工艺制造，其噪声系数（NF）低于1分贝。该器件采用共源拓扑结构配合电感源极退化技术，实现噪声与输入阻抗的同步匹配。测试结果表明：在1V供电电压、13mW功耗条件下，该LNA在24GHz频点获得7.9dB增益及5GHz带宽的-1dB平坦度；在21-27GHz频段内噪声系数始终低于1.5dB，其中26GHz处达到最低值0.7dB。
作者： Jiajun Zhang，Dixian Zhao
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

设计并制造一款用于毫米波5G基站的宽带低噪声放大器，其噪声系数低于1分贝，旨在提升接收机的整体噪声性能。

研究成果

该款制造的低噪声放大器（LNA）实现了低于1分贝的噪声系数和平坦增益，证明其适用于毫米波5G基站。当与现有CMOS接收机集成时，可使整体噪声系数改善4-6分贝，从而提升接收机性能。

研究不足

该低噪声放大器（LNA）专为特定频段（例如21-27 GHz）设计，可能无法针对其他频段进行优化。虽然采用砷化镓（GaAs）技术具有低噪声优势，但相比互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺会增加成本。单级设计可能限制增益，相较于多级放大器而言。

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