研究目的
研究生长条件（如II/VI比例和生长速率）对采用金属镉源气相外延法在(211)硅衬底上生长的CdTe薄膜中孪晶形成的影响，并理解其生长机制。
研究成果
通过调节II/VI比例可控制(211)硅衬底上CdTe薄膜的取向：较低II/VI比例时倾向于形成(133)取向，较高II/VI比例时则形成(211)取向。FWHM值显示(133)CdTe的晶体质量优于(211)CdTe。其生长机制表现为：低II/VI比例时(133)CdTe以台阶流生长为主，高II/VI比例时(211)CdTe通过自发成核形成。该研究为辐射探测器等应用中的CdTe生长优化提供了依据。
研究不足
该研究仅限于特定生长条件（如600°C温度、常压）和衬底类型（无缓冲层的(211)硅）。使用金属镉源可能对成本和可扩展性产生影响，但未广泛涵盖与其他前驱体的对比研究。关于生长机制的解释基于假设，可能需要进一步验证。
1：实验设计与方法选择：
采用常压石英水平流反应器进行气相外延生长。以6N纯度的金属镉（Cd）和二异丙基碲（DiPTe）分别作为II族和VI族前驱体，氢气（H2）作为载气。通过调节Cd与DiPTe的输入速率控制II/VI比例。
2：样品选择与数据来源：
使用(211)晶向硅衬底，经标准化学清洗后，在氢气氛围中1000°C退火30分钟去除氧化硅层。未使用缓冲层或特殊表面处理。
3：实验设备与材料清单：
设备包括石英水平流反应器、温控加热器、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）和原子力显微镜（AFM）。材料包含6N纯度金属镉、DiPTe、氢气及(211)硅衬底。
4：实验流程与操作步骤：
衬底经退火处理后，在600°C下生长60分钟CdTe薄膜。通过调整前驱体供给速率改变II/VI比例和生长速率。采用SEM观察形貌，XRD分析取向与结晶质量，AFM检测表面台阶结构。
5：数据分析方法：
利用XRD测定薄膜取向并通过半高宽（FWHM）评估结晶质量，通过SEM与AFM图像分析表面特征及台阶结构。
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metallic Cd
6N
Used as a group-II precursor in vapor-phase epitaxy for CdTe film growth.
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diisopropyl-telluride
DiPTe
Used as a group-VI precursor in vapor-phase epitaxy for CdTe film growth.
-
scanning electron microscope
Used to observe the surface morphology and thickness of CdTe films.
-
x-ray diffraction equipment
Used to evaluate the orientation and crystalline quality of CdTe films.
-
atomic force microscope
AFM
Used to evaluate the macro-step of the surface and surface features.
-
horizontal flow reactor
Used for vapor-phase epitaxy growth of CdTe films at atmospheric pressure.
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