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合成缺氧氧化铋光催化剂以改善光电化学应用

DOI:10.1016/j.electacta.2019.01.009 期刊:Electrochimica Acta 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 15:22:29
摘要: 本文报道了氮掺杂对Bi2O3半导体薄膜光电化学(PEC)水氧化行为的影响。采用Bi(NO3)3作为Bi3+离子前驱体、尿素作为氮源通过水热法合成半导体颗粒,随后滴涂成膜并在600℃下退火处理。根据紫外-可见吸收光谱计算,合成的Bi2O3带隙能为3.01 eV,经氮掺杂后降至2.75 eV。通过周期性光照下的线性扫描伏安法测试了材料的水氧化性能,在35 mW/cm2光照条件下,相对于Ag/AgCl电极0.95 V处测得最高光电流为180 μA/cm2。氮掺杂可使光电流提升达50%,且材料的可见光响应性显著改善(通过电化学活性光谱和紫外-可见吸收光谱证实)。通过分光光度法测量罗丹明B染料的脱色情况验证了该半导体颗粒的光催化活性。
作者: Paramita Hajra,Sanjib Shyamal,Harahari Mandal,Debasis Sariket,Arjun Maity,Sukumar Kundu,Chinmoy Bhattacharya
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研究概述 实验方案 设备清单

研究氮掺杂对Bi2O3半导体薄膜光电化学水氧化行为的影响,以提高其可见光吸收能力和光催化活性。

氮掺杂氧化铋可降低带隙能,增强水氧化光电流,提升可见光吸收能力,并通过增加氧空位和减小晶粒尺寸来提高光催化活性,使其成为光电解应用的理想材料。

该研究在工业化应用的规模化方面可能存在局限,合成条件可能存在潜在波动性,且氮掺杂水平的进一步优化及长期稳定性测试仍有待开展。

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