1：实验设计与方法选择：

该研究采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在硅衬底上生长GaSb/InAs层，随后通过嵌段共聚物掩?？淌粗票窱nAs鳍结构。

2：样品选择与数据来源：

使用标称300毫米（001）晶向硅衬底，沿[110]方向具有0.11°偏角。

3：11°偏角。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：设备包括300毫米应用材料MOCVD反应器、牛津等离子体实验室100型ICP-RIE、蔡司ULTRA扫描电镜、FEI Helios NanoLab 450S聚焦离子束-扫描电镜、FEI Titan（终极版）S/TEM及FEI Titan Themis S/TEM。材料包含TESb、TBAs、TMGa、TMIn等前驱体，PS-r-PMMA和PS-b-PMMA嵌段共聚物，以及氢气、氩气、氧气、BCl3、SiCl4等气体。

4：SiCl4等气体。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：衬底经脱氧、加热并暴露于TBAs环境；依次生长GaSb与InAs层；沉积嵌段共聚物掩模并进行退火与刻蚀；刻蚀InAs形成鳍结构；开展结构与电学表征。

5：数据分析方法：

采用扫描电镜（SEM）、扫描透射电镜高角环形暗场像（STEM-HAADF）、能量色散X射线光谱（EDX）、原子力显微镜（AFM）、飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）及电学I-V特性测试等技术。