1：实验设计与方法选择：

本研究制备了含2%石墨烯钴掺杂（Ca3Co4Ga0.001Ox）中间层的Au/n-Si金属-半导体结构。在室温下采用5-500 kHz频率范围的电容/电导-电压（C/G-V）测试分析电学与介电特性。通过低频-高频电容法提取界面态密度（Nss），采用Nicollian-Brews法提取电阻（Ri）?；贑和G数据计算复介电常数、电模量和交流电导率。

2：001Ox）中间层的Au/n-Si金属-半导体结构。在室温下采用5-500 kHz频率范围的电容/电导-电压（C/G-V）测试分析电学与介电特性。通过低频-高频电容法提取界面态密度（Nss），采用Nicollian-Brews法提取电阻（Ri）?；贑和G数据计算复介电常数、电模量和交流电导率。 样品选择与数据来源：

2. 样品选择与数据来源：使用电阻率0.001-0.005 Ω·cm、厚度250微米、(100)晶向的P型掺杂单晶n-Si晶圆。中间层通过溶胶-凝胶法合成并采用静电纺丝沉积，接触电极采用高纯度金。

3：001-005 Ω·cm、厚度250微米、(100)晶向的P型掺杂单晶n-Si晶圆。中间层通过溶胶-凝胶法合成并采用静电纺丝沉积，接触电极采用高纯度金。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：设备包括用于C-V和G/ω-V测量的HP 4192A低频阻抗分析仪、金蒸镀系统、石英晶体厚度监控仪、超声清洗槽及配备IEEE-488交直流转换卡的单片机。材料包含n-Si晶圆、99.999%纯金、2%石墨烯钴掺杂Ca3Co4Ga0.001Ox、聚乙烯醇聚合物、去离子水及多种清洗用化学试剂。

4：999%纯金、2%石墨烯钴掺杂Ca3Co4Ga001Ox、聚乙烯醇聚合物、去离子水及多种清洗用化学试剂。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：n-Si晶圆经化学清洗和去离子水处理后氮气吹干，背面通过蒸镀金并在氮气中500°C退火形成欧姆接触。前表面采用静电纺丝生长中间层，再沉积1500 ?厚度、1 mm直径的金点。在5-500 kHz频率范围内施加40 mV正弦测试信号进行C-V和G/ω-V测量。

5：数据分析方法：

从C和G数据中提取Nss与Ri，运用标准公式计算ε'、ε''、M'、M''和σac。通过频率与电压依赖性分析理解导电机制与极化效应。