研究目的
采用密度泛函理论（DFT）计算方法，研究双轴应变和单轴应变对单层SnSe光电性质（特别是该材料的光吸收特性）的影响。
研究成果
应变显著影响单层SnSe的电子和光学特性，导致带隙减小及光吸收增强（尤其在紫外区域），这表明其具有提升太阳能转换效率的潜力。未来研究应探索实验验证及在能量收集器件中的应用。
研究不足
该研究基于采用GGA-PBE泛函的DFT计算，该方法可能低估带隙值。此为纯理论计算研究，未包含实验验证。研究聚焦单层SnSe材料，所得结论未必能直接推广至块体材料或其他体系。
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通过应变工程增强单层SnSe的光吸收：一项DFT计算研究
DOI：10.1016/j.chemphys.2019.01.017
期刊：Chemical Physics
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:22:29
摘要：
采用APW+lo方法在DFT框架下研究了应变对单层SnSe电子和光学性质的影响。所施加的应变导致主要由s/p杂化构成的SnSe带隙发生直接-间接跃迁。扶手椅方向应变εac和锯齿方向应变εzz使未受应变时的1.05 eV带隙在12%压缩下降至0 eV，但在12%拉伸时带隙降至0.726-0.804 eV。双轴应变εb下的带隙始终随12%压缩至12%拉伸而增大。我们观察到介电函数实部ε1(ω)和虚部ε2(ω)的幅度增强14%-30%，峰值分布扩展至红外和紫外区域，且ε1(ω)和ε2(ω)光谱中出现新峰。因此，紫外区域的光吸收α(ω)显著增强，甚至在红外区域的更低能量处开始出现吸收。
作者：
Tuan V. Vu，Hien D. Tong，Truong Khang Nguyen，Chuong V. Nguyen，A.A. Lavrentyev，O.Y. Khyzhun，B.V. Gabrelian，Hai L. Luong，Khang D. Pham，Phuc Toan Dang，Dat D. Vo
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