研究目的
合成高浓度Eu3+掺杂的NaYb(MoO4)2荧光粉，作为与植物光敏色素PR吸收匹配的LED红色发光源，用于植物生长调控，并研究其温度传感性能。
研究成果
掺杂浓度为50%的NaYb(MoO4)2:Eu3+荧光粉展现出与植物光敏色素吸收匹配的强红光发射、高色纯度（95.32%）、优异的热稳定性，以及在498K时具有最大灵敏度0.01136 K^-1的有效温度传感性能，使其在植物生长LED和温度监测的双功能应用中极具前景。
研究不足
该研究仅限于特定的合成条件和掺杂浓度；潜在的优化方向包括提升工业化应用的可扩展性，以及在真实植物生长环境中对LED器件进行长期稳定性测试。
1：实验设计与方法选择：
基于前期优化条件（Yb(NO3)3与Na2MoO4比例为1/3，pH=5），采用水热法合成荧光粉后进行煅烧处理。理论模型包括用于临界距离计算的Blasse方程和能量传递机制分析的Dexter理论。
2：样品选择与数据来源：
使用高纯度化学试剂（Yb(NO3)3 99.99%，Na2MoO4 99%）制备了Eu3+掺杂浓度为30%、40%、50%和60%的样品。
3：99%，Na2MoO4 99%）制备了Eu3+掺杂浓度为30%、40%、50%和60%的样品。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：设备包括配备Cu Kα射线的Rigaku-Dmaxan X射线衍射仪(XRD)、搭配氙灯的Andor Shamrock SR-750荧光光谱仪、HAAS 2000光电测量系统以及带电阻加热控温的铁制样品池。材料包含Yb(NO3)3、Na2MoO4、Eu3+掺杂剂、硅胶树脂及蓝色InGaN LED芯片。
4：Na2MoOEu3+掺杂剂、硅胶树脂及蓝色InGaN LED芯片。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：合成过程包含水热反应和煅烧环节。表征手段有XRD相分析、室温和升温条件(323-573 K)下的PL与PLE光谱测试、通过蓝光芯片涂覆荧光粉制备LED器件，以及在5 mA偏置电流下测量EL光谱。
5：数据分析方法：
采用Blasse方程计算临界距离，通过log(I/x)与log(x)曲线确定能量传递机制，计算CIE坐标与色纯度，通过活化能拟合评估热稳定性，并利用强度比进行温度敏感性分析。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
X-ray diffraction meter
Rigaku-Dmaxan
Rigaku
Analyzing powder diffraction patterns for phase identification.
-
Fluorescence spectrometer
Andor Shamrock SR-750
Andor
Recording photoluminescence excitation and emission spectra.
-
Photoelectric measuring system
HAAS 2000
EVERFINE
Measuring electroluminescence spectra of LED devices.
-
LED chip
InGaN-based blue LED chip
Serving as the excitation source for the phosphors in LED fabrication.
-
Sample cell
Iron sample cell
Holding phosphor samples for temperature-dependent measurements.
-
登录查看剩余3件设备及参数对照表
查看全部
