1：实验设计与方法选择：

采用分子束外延（MBE）技术在GaAs(001)衬底上生长Ni0.92Mn1.08As薄膜。生长过程包括先沉积低温NiMnAs层以消除界面反应，随后通过反射高能电子衍射（RHEED）监控进行高温生长。采用X射线衍射（XRD）、同步辐射测量、能量色散谱仪（EDS）、X射线反射率（XRR）、超导量子干涉仪（SQUID）磁强计和X射线吸收光谱（XAS）进行表征。

2：92Mn08As薄膜。生长过程包括先沉积低温NiMnAs层以消除界面反应，随后通过反射高能电子衍射（RHEED）监控进行高温生长。采用X射线衍射（XRD）、同步辐射测量、能量色散谱仪（EDS）、X射线反射率（XRR）、超导量子干涉仪（SQUID）磁强计和X射线吸收光谱（XAS）进行表征。 样品选择与数据来源：

2. 样品选择与数据来源：使用GaAs(001)衬底。薄膜在不同温度（250、300、330、370和400°C）下生长，固定厚度约30 nm。数据采集自这些样品。

3：370和400°C）下生长，固定厚度约30 nm。数据采集自这些样品。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：设备包括MBE系统、RHEED、XRD衍射仪、同步辐射装置、EDS、XRR、SQUID磁强计和XAS装置。材料包括GaAs衬底及用于沉积的Ni、Mn和As源。

4：实验流程与操作步骤：

在约580°C脱附GaAs自然氧化层后，生长150 nm GaAs缓冲层。沉积约0.6 nm低温NiMnAs层并退火至结晶。在指定温度下生长NiMnAs薄膜，覆盖3 nm GaAs?；げ惴乐寡趸?。原位监控RHEED图样。生长后进行XRD、同步辐射测量、EDS、XRR、SQUID和XAS分析。

5：6 nm低温NiMnAs层并退火至结晶。在指定温度下生长NiMnAs薄膜，覆盖3 nm GaAs?；げ惴乐寡趸Ｔ患嗫豏HEED图样。生长后进行XRD、同步辐射测量、EDS、XRR、SQUID和XAS分析。 数据分析方法：

5. 数据分析方法：通过XRD数据识别晶体结构；同步辐射数据确认外延关系；EDS提供成分分析；XRR拟合获取厚度和界面平整度；SQUID数据分析磁性能（居里温度Tc、饱和磁化强度Ms、矫顽力Hc）；XAS光谱解析局域电子结构。