研究目的
研究导带非抛物性对GaAs/Ga1?xAlxAs双半V形量子阱中非线性光学特性的影响。
研究成果
导带非抛物线特性显著降低能级，并影响非线性光学性质中共振峰的幅度与位置。这对精确的电子结构建模及共振隧穿器件设计至关重要，结果表明考虑非抛物线效应时吸收系数和三次谐波产生极化率均会减小。
研究不足
该研究纯粹是理论和计算性的，缺乏实验验证。它假设了特定的材料参数和理想化的量子阱结构，可能无法完全反映现实世界的复杂性或变化。非抛物线模型是近似的，可能不适用于所有能量范围或材料成分。
导带非抛物性对GaAs/Ga1?xAlxAs双半V形量子阱非线性光学特性的影响
DOI：10.3390/ma12010078
期刊：Materials
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:22:29
摘要：
本文采用紧致密度矩阵方法，研究了导带非抛物性（NPBE）对双半V形GaAs/Ga1?xAlxAs量子阱（QWs）电子态相关的三次谐波产生（THG）、线性与非线性子带间光学吸收系数（OACs）的影响。同时基于位置依赖的有效质量体系，通过有限差分与自洽技术计算该系统的电子结构。我们对比了考虑与非考虑NPBE两种情况的结果，发现：（1）NPBE对双半V形量子阱的子带能级具有显著影响；（2）由于采用自洽选取的能量相关有效质量m*(E)，考虑NPBE时THG与非线性OACs共振峰的振幅与位置呈现复杂变化行为。
作者：
Zhi-Hai Zhang，Jian-Hui Yuan，Kang-Xian Guo，Elmustapha Feddi
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