研究目的
为探究提升太阳能电池性能的先进上转换材料现状,重点关注能捕获太阳光谱中两个独立波段的半导体纳米结构。
研究成果
半导体量子点异质结构因其宽吸收带宽和可调谐性,在光伏上转换领域展现出应用前景。然而当前内量子效率(0.002%)与实现太阳能高效利用所需的1-10%之间存在显著差距。未来研究应聚焦于通过纳米结构工程克服表面态、低光电子产率等限制因素,以充分发挥其潜力。
研究不足
该综述指出了现有上转换材料的局限性,例如镧系元素和TTA分子在低光子通量下存在吸收带宽窄和效率低的问题。对于半导体纳米结构,当前的内量子效率(iUQE)较低(0.002%),面临的挑战包括表面态钝化、低光电子产率(PES)以及对纳米结构组成的精确控制。
1:实验设计与方法选择:
本文为综述性论文,非实验研究,因此未描述具体实验设计或方法,而是对现有文献和计算模型进行综述。
2:样本选择与数据来源:
该综述综合了上转换材料(包括镧系掺杂盐、三重态-三重态湮灭分子及半导体纳米结构)相关研究的各类数据。
3:实验设备与材料清单:
不适用(因属综述性质,未详述具体设备与材料)。
4:实验流程与操作步骤:
不适用(本文讨论理论模型及现有实验结果)。
5:数据分析方法:
该综述采用计算模型(如动力学速率模型与细致平衡计算)分析上转换性能指标,包括内量子效率(iUQE)、吸收带宽(AB)及光子能量损耗(PES)。
独家科研数据包,助您复现前沿成果,加速创新突破
获取完整内容-
NaYF4
Used as a host matrix for lanthanide-doped upconverters to suppress phonon-mediated relaxation.
-
CdSe
Semiconductor quantum dot used in upconversion nanostructures for absorption and emission.
-
PbS
Quantum dot material for upconversion, often used in core/shell structures.
-
InAs
Quantum dot material in III-V systems for upconversion applications.
-
GaAs
Semiconductor used in host solar cells and upconversion structures.
-
AlGaAs
Wide-band-gap material used in solar cells and upconversion devices.
-
登录查看剩余4件设备及参数对照表
查看全部