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利用Co2+掺杂调控赤铁矿薄膜的光电性能

DOI:10.1007/s10854-019-00712-7 期刊:Journal of Materials Science: Materials in Electronics 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 01:28:20
摘要: 近年来,赤铁矿薄膜因其优异的电子和光学性能引起了广泛关注。通过掺杂或添加剂策略可增强/调控赤铁矿薄膜的光电特性。本研究采用面向应用的溶胶-凝胶法,制备了钴(Co)掺杂浓度为0-10 wt%的赤铁矿溶胶。在300°C、500奥斯特磁场下退火60分钟后,未掺杂薄膜中观察到赤铁矿相。随着Co浓度增至8 wt%,赤铁矿相得到显著强化。结构精修参数显示,0-8 wt% Co掺杂薄膜呈现+8倾斜键角(约19.74°)。而10 wt%高浓度掺杂会导致结晶度下降及键角正倾斜减?。ㄔ?.82°)。8 wt%掺杂薄膜在可见光及红外区域表现出高透射率(~88%),其带隙随Co浓度从0至10 wt%变化于2.42-2.25 eV之间,较窄带隙与带隙内缺陷态相关。椭圆偏振光谱测定表明,折射率高值对应薄膜的高密度特性。8 wt%掺杂时呈现较高介电常数(~183,log f=5.0)及较低损耗角正切值,同时晶界电阻达1.88×10? Ω?;贘onscher幂律定律详细研究了直流电导率与掺杂浓度的关系,频率指数n值(0.88-0.98<1)表明载流子运动包含平移运动与跳跃过程的复合机制。值得注意的是,本研究在保持纯相赤铁矿晶体结构不变的前提下,实现了光电性能的协同调控。
作者: Hassan Yousaf,S. Mudassar Muzaffar,Saira Riaz,Naveed Ahmad,Shamaila Shahzadi,Shahzad Naseem
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研究概述 实验方案 设备清单

通过溶胶-凝胶法进行钴掺杂,以增强和调控赤铁矿薄膜的光学与电子性能,同时保持纯相赤铁矿的晶体结构。

钴掺杂量高达8 wt%可增强赤铁矿薄膜的光学和电学性能,包括高透光率、介电常数和晶界电阻,且不改变赤铁矿相。这使得该薄膜适用于光电应用。未来的工作可以探索其他掺杂剂或更高的退火温度。

该研究仅限于钴掺杂量不超过10 wt%;更高浓度可能导致相杂质或性能下降。300°C的退火温度可能不适用于其他掺杂剂或方法,且未涉及工业应用的规?;侍?。

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