研究目的
通过数值模拟构建并评估三种基于量子点半导体光放大器(QD-SOAs)的160 Gb/s全光数字比较器,重点关注消光比(ER)和Q因子等性能指标,并分析放大自发辐射(ASE)噪声的影响。
研究成果
该研究成功构建并评估了三种基于量子点半导体光放大器(QD-SOAs)的全光数字比较器配置方案。其中方案(b)和(c)在电路复杂度、消光比(ER)值以及对注入电流的灵敏度方面均优于方案(a)。这两种方案即使在强自发辐射噪声(ASE)环境下仍能实现高消光比(>10 dB)和高品质因数(Q-factor >9),展现出优异的抗噪性能。具体方案选择需根据实际需求决定:方案(b)提供更优的性能质量,而方案(c)则能最大限度减少量子点半导体光放大器的使用数量。
研究不足
该研究基于数值模拟,未包含实验验证。由于配置的复杂性和对注入电流、ASE噪声等参数的敏感性,在实际应用中可能存在局限性。部分配置需要不同波长,这可能会增加复杂性。
1:实验设计与方法选择:
采用OptiSystem 15.2和MATLAB R2018b进行数值模拟,建立量子点半导体光放大器(QD-SOA)的增益与相位动态模型。通过四阶龙格-库塔法求解光子密度、相位及载流子动力学的耦合方程组。
2:2和MATLAB R2018b进行数值模拟,建立量子点半导体光放大器(QD-SOA)的增益与相位动态模型。通过四阶龙格-库塔法求解光子密度、相位及载流子动力学的耦合方程组。
样本选择与数据来源:
2. 样本选择与数据来源:输入信号为伪随机二进制序列生成的160 Gb/s归零高斯脉冲(半高全宽2 ps,256比特长度)。不同配置方案中明确规定了光功率与波长参数。
3:实验设备与材料清单:
使用特定参数(如长度、注入电流)的QD-SOA器件、高斯型3 nm带宽光学滤波器,以及OptiSystem 15.2和MATLAB R2018b仿真软件。
4:2和MATLAB R2018b仿真软件。
实验流程与操作步骤:
4. 实验流程与操作步骤:模拟过程包含光信号通过QD-SOA传输、施加光学滤波器,并分析输出信号的消光比与Q因子。根据指定方程数值添加自发辐射噪声(ASE)。
5:数据分析方法:
通过消光比(ER)和Q因子计算评估性能,采用伪眼图(PED)及ER/Q因子随自发辐射因子变化的曲线呈现结果。
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