研究目的
采用MVAD方法优化MAPbBr3钙钛矿薄膜的结晶及纳米结构表面，以实现兼具平衡电致发光与紫外光电探测性能的高性能双功能光电子器件。
研究成果
MVAD方法成功优化了MAPbBr3薄膜的结晶度和纳米结构表面，从而改善了光学场分布和电荷转移。这使得高性能双功能器件在亮度（提升6.27倍）和探测率（提高3个数量级）方面获得显著增强，展现了电致发光与光电探测功能之间的平衡优化。该研究为设计具有优异光电性能的钙钛矿薄膜提供了思路。
研究不足
该研究在大规模处理的扩展性方面可能存在局限，较厚膜层中可能存在薄膜均匀性问题，且需进一步优化以减少陷阱辅助复合。模拟模型基于特定条件假设，可能无法完全反映实际工况中的变化。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用多步气相辅助沉积（MVAD）法制备具有不同纳米结构表面（单层、双层、三层）的MAPbBr3薄膜以优化膜质量。基于有限时域差分（FDTD）方法建立光学模拟模型分析光场分布。
2：样品选择与数据来源：
MAPbBr3薄膜制备于带有PEDOT:PSS层的ITO衬底上。通过原子力显微镜（AFM）、扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、时间分辨光致发光（TRPL）、紫外-可见吸收及透射率测量进行表征。
3：实验设备与材料清单：
设备包括旋涂仪、热蒸发镀膜机、Keithley 4200半导体特性测试系统、岛津UV-1700分光光度计、PicoQuant FluoTime 300（用于TRPL）、XRD（X'PERT Pro MPD）、AFM（安捷伦AFM 5500）、SEM（蔡司Supra 55）、alpha-SE光谱椭偏仪。材料包含MAPbBr3（购自P-oled公司）、DMF、氯苯、PEDOT:PSS、TPBi、银。
4：0）、SEM（蔡司Supra 55）、alpha-SE光谱椭偏仪。材料包含MAPbBr3（购自P-oled公司）、DMF、氯苯、PEDOT:
4. 实验流程与操作步骤：清洗ITO玻璃并进行紫外臭氧处理。旋涂并烘烤PEDOT:PSS层。以不同氯苯滴加速度旋涂MAPbBr3层后退火。热蒸镀TPBi和银层。在特定条件下测试器件的电致发光与光电探测性能。
5：实验流程与操作步骤：
5. 数据分析方法：采用谢乐公式计算晶粒尺寸，TRPL寿命计算，FDTD模拟光场分布，以及探测器性能指标（如探测率与响应度）的标准方程分析数据。
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