1：实验设计与方法选择：

本研究采用简便的电沉积合成法在FTO基底上制备V2O5/BiVO4异质结光阳极，通过LSV、IMPS、EIS、HR-TEM、XRD、XPS、拉曼和紫外-可见光谱等表征技术分析能带电位与导电性差异。性能评估在1.5 AM太阳光模拟器照射下的标准三电极PEC电池中进行。

2：5 AM太阳光模拟器照射下的标准三电极PEC电池中进行。 样品选择与数据来源：

2. 样品选择与数据来源：样品包括原始BiVO4、V2O5及异质结结构（V2O5/BiVO4和BiVO4/V2O5），均制备于FTO玻璃基底。数据源自电化学测量与光谱分析。

3：V2O5及异质结结构（V2O5/BiVO4和BiVO4/V2O5），均制备于FTO玻璃基底。数据源自电化学测量与光谱分析。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：设备包含JEOL JEM-2100F电子显微镜（TEM/HR-TEM）、Agilent Cary 100分光光度计（紫外-可见）、Horiba Scientific拉曼光谱仪、Bruker D8 XRD、PHI Quantera II XPS微探针、Metrohm PGSTAT 204电化学工作站及IVIUM技术电化学工作站（IMPS）。材料包括Bi(NO3)3·5H2O、CH3COONa、VOSO4、HNO3、C2H6O、H2SO4、Na2SO4及指定供应商的FTO玻璃。

4：2O、CH3COONa、VOSOHNOC2H6O、H2SONa2SO4及指定供应商的FTO玻璃。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：清洗FTO基底后，通过特定电位与时间的电沉积法制备光阳极并退火。表征包括TEM、XRD、拉曼、XPS及电化学测量（LSV、EIS、IMPS），测试在含/不含H2O2空穴牺牲剂的Na2SO4电解液中进行，光照条件下开展。

5：数据分析方法：

EIS数据采用等效电路模型分析，IMPS通过频率分析确定速率常数与传输时间，Mott-Schottky曲线获取平带电位，Tauc图估算带隙。