研究目的
通过钾原子修饰在单层WSe2中构建点缺陷态，使带隙中间态可见并探究其电子与磁学特性。
研究成果
钾原子修饰有效调控单层WSe?中的钨空位，使带隙中间态可见并展现出可调磁矩。理论预测与关态实验的高度吻合表明二维过渡金属硫族化合物具有门控可编程磁性潜力，为未来自旋器件应用奠定基础。
研究不足
使用石墨基底会固定费米能级，导致无法观测到磁性开启状态；研究仅限于关闭状态条件。样品相关的缺陷类型和密度可能存在差异。计算模型采用周期性边界条件，可能无法完全捕捉孤立缺陷的行为。
1：实验设计与方法选择：
本研究结合扫描隧道显微镜/谱学（STM/S）与第一性原理计算，探究单层WSe?中钾修饰钨空位的原子与电子结构。
2：样本选择与数据来源：
单层WSe?通过化学气相沉积法生长于高定向热解石墨（HOPG）衬底，点缺陷为天然存在或诱导产生。
3：实验设备与材料清单：
设备包括配备钨针尖的超高真空STM、SAES Getters碱金属蒸发器（用于钾沉积）、锁相放大器（用于谱学测量），计算工具采用VASP软件进行DFT计算；材料包含HOPG衬底、WSe?单层薄膜及钾原子。
4：实验流程与操作步骤：
室温下将钾原子沉积于WSe?表面，经450 K退火处理后，于77 K下进行STM/S表征，测量dI/dV和(?Z/?V)I谱。DFT计算引入范德华修正以模拟电子结构。
5：数据分析方法：
通过谱图解析缺陷态特征，对能级进行统计分析，并将DFT结果与实验数据对比验证结论。
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获取完整内容-
SAES Getters alkali metal dispenser
SAES Getters
Used for depositing potassium atoms on the WSe2 surface.
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STM
Used for scanning tunneling microscopy and spectroscopy to image and characterize defects.
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lock-in amplifier
Used for taking dI/dV spectra in STM measurements.
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VASP
Vienna ab-initio simulation package
Software for density functional theory calculations to model electronic structures.
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HOPG
highly-oriented pyrolytic graphite
Used as a substrate for growing monolayer WSe2.
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