1：实验设计与方法选择：

采用金属源分子束外延（MBE）技术结合射频氮等离子体源，在α-Al2O3(1102)衬底上生长ScN薄膜。研究通过调节生长温度（Tg：750°C至900°C）和钪源温度（TSc：1300°C至1325°C），探究其对晶体质量和电学性能的影响。

2：样品选择与数据来源：

以(1102)晶向的α-Al2O3单晶为衬底，生长前在900°C下加热30分钟进行表面清洁。

3：实验设备与材料清单：

主要设备包括配备13.56 MHz射频等离子体源的MBE系统、钪流量控制用的Knudsen Cell、X射线衍射仪（X'Pert MRD，马尔文帕纳科公司）、透射电子显微镜（H-9000UHR，日立高新技术公司）、原子力显微镜（SPA-400，SII纳米科技有限公司）、表面轮廓仪（Dektak 3030，斯隆科技公司）、霍尔效应测试系统（ResiTest 8200，东阳公司）及分光光度计（SolidSpec-3700，岛津公司）。材料包含高纯氮气（99.99995%）、金属钪（99.9%）及接触电极用铝。

4：56 MHz射频等离子体源的MBE系统、钪流量控制用的Knudsen Cell、X射线衍射仪（X'Pert MRD，马尔文帕纳科公司）、透射电子显微镜（H-9000UHR，日立高新技术公司）、原子力显微镜（SPA-400，SII纳米科技有限公司）、表面轮廓仪（Dektak 3030，斯隆科技公司）、霍尔效应测试系统（ResiTest 8200，东阳公司）及分光光度计（SolidSpec-3700，岛津公司）。材料包含高纯氮气（99995%）、金属钪（9%）及接触电极用铝。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：首先加热清洁衬底，随后通过氮等离子体辅助沉积生长ScN薄膜，调控Tg与TSc参数，薄膜厚度控制在140-300 nm范围。结构分析采用XRD（θ-2θ扫描、摇摆曲线、极图及倒易空间映射）、透射电镜和原子力显微镜；电学性能通过范德堡法霍尔测量获??；光学性能采用透射光谱评估。

5：数据处理方法：

XRD数据用于分析取向、倾斜角及半高宽；透射电镜与原子力显微镜表征表面形貌；霍尔效应数据提取电阻率、载流子浓度和迁移率；统计分析晶体质量与电学参数对生长条件的依赖关系。