研究目的
开发一种适用于多晶硅薄膜的原位热扩散率测试结构及方法，该方法与MEMS制造和工艺控制监测兼容，且无需额外工艺或严苛的环境条件。
研究成果
原位测试方法可行，与集成电路制造中的PCM兼容，在正常条件下能为导电薄膜提供可靠的热扩散率测量数据，并可通过潜在改进适用于非导电材料。
研究不足
该方法不适用于非导电材料或电阻极高的材料。其假设了一个理想的热沉基底，且可能受到工艺变化的影响。
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多晶硅薄膜热扩散系数的原位测试
DOI：10.3390/mi7100174
期刊：Micromachines
出版年份：2016
更新时间：2025-09-23 18:09:38
摘要：
本文提出了一种直观且有效的原位热扩散率测试结构及测试方法。该结构由两根宽度与厚度相同但长度不同的双端固支梁组成。当电流通过其中一根梁的两端时，该梁作为热电阻，其电阻R(t)随温度升高而变化。针对该测试结构建立了精细的热力学模型，综合考虑了热对流、热辐射以及薄膜与基底间的热传导。所提出的原位热扩散率测试结构可通过多种常用微机电系统(MEMS)制造方法制备，无需额外定制工艺即可提供原位测试所需的电输入输出接口。同时，测试环境和设备无严格要求，可在常压常温下进行测量，且结果较为准确。
作者：
Yi-Fan Gu，Zai-Fa Zhou，Chao Sun，Wei-Hua Li，Qing-An Huang
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