研究目的
开发具有疏水和防污性能的纳米级钛薄膜,沉积于瓷质电气绝缘子上以最小化泄漏电流的影响。
研究成果
通过冷等离子体溅射沉积的纳米级钛膜提高了瓷绝缘子的疏水性并降低了泄漏电流,显示出对风化的耐化学性,有应用于电网的潜力。
研究不足
由于基材各部分与靶材之间的距离变化导致的不规则沉积、非连续的薄膜形成,以及可能对特定实验条件的依赖性。
1:实验设计与方法选择:
采用钛靶和氩气的冷等离子体磁控溅射进行沉积。
2:样品选择与数据来源:
以商用瓷绝缘子为基底,经清洗处理制备。
3:实验设备与材料清单:
带真空系统的等离子体反应器、钛靶、氩气、扫描电镜/场发射枪(SEM/FEG)、原子力显微镜(AFM)、接触角测量仪、盐雾试验箱。
4:实验步骤与操作流程:
基底预处理,通过四步真空与氩气注入完成沉积,采用SEM/FEG、能谱仪(EDS)、AFM、接触角测量及盐雾暴露前后的泄漏电流测试进行表征。
5:数据分析方法:
分析薄膜厚度、粗糙度、元素组成、通过接触角和喷雾法测定的疏水性,以及泄漏电流值。
独家科研数据包,助您复现前沿成果,加速创新突破
获取完整内容-
atomic force microscopy
SPM-9600
Shimadzu
Analysis of film roughness and thickness
-
scanning electron microscopy
Mira 3
Tescam
Characterization of deposited film properties
-
plasma reactor
Deposition of nanometric films
-
titanium target
Source material for sputtering deposition
-
argon gas
Ionization gas for plasma generation
-
goniometer
Measurement of contact angle for hydrophobicity evaluation
-
salt spray chamber
Artificial weathering exposure for testing
-
登录查看剩余5件设备及参数对照表
查看全部