研究目的
利用电化学原子层沉积（E-ALD）探索MoS?在Ag(111)表面电沉积的条件及MoSe?生长的初始阶段，重点关注其在光电子学中的应用。
研究成果
E-ALD已成功用于在Ag(111)上沉积Moad以及在Moad/Ag(111)上沉积Sead，但实现完整MoSe2生长仍面临挑战。该方法在光电子应用方面展现出前景，但要扩展至薄层MoSe2薄膜仍需进一步开发。
研究不足
由于多电子交换作用，钼在银(111)晶面上的沉积速率缓慢且动力学上不利。在测试条件下仅实现了钼在硒化银/银(111)晶面上的体相沉积，这限制了完整二硒化钼薄膜的形成。需进一步研究以优化该工艺。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用电化学原子层沉积（E-ALD）技术生长薄膜，利用欠电位沉积（UPD）等表面限域反应（SLRs）。通过循环伏安法和阳极溶出伏安法进行表征。
2：样品选择与数据来源：
使用经布里奇曼法制备和化学抛光的Ag(111)单晶电极。溶液体系包含七钼酸铵四水合物、亚硒酸钠及氨缓冲液（pH 9.2）中的NaOH。
3：2）中的NaOH。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：由Kelef材质制成的电化学池、金对电极、Ag/AgCl参比电极、Viton O型圈，以及Sigma Aldrich和Merck提供的各类化学品。
4：实验流程与操作步骤：
包括电极清洗、在-0.75 V沉积Mo 15分钟、在特定电位于Mo/Ag(111)上沉积Se，以及洗涤步骤。E-ALD循环采用自动化溶液注入系统。
5：75 V沉积Mo 15分钟、在特定电位于Mo/Ag(111)上沉积Se，以及洗涤步骤。E-ALD循环采用自动化溶液注入系统。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：通过溶出伏安法的电荷量分析确认表面限域沉积，绘制电荷-电位及电荷-时间关系图。
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Ammonium heptamolybdate tetrahydrate
(NH4)6Mo7O24·4H2O
Sigma Aldrich
Precursor for molybdenum deposition in electrodeposition experiments
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Sodium selenite
NaSeO3
Merck
Precursor for selenium deposition in electrodeposition experiments
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Sodium hydroxide
NaOH
Merck Suprapur
Used in buffer solutions for pH control
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Perchloric acid
HClO4
Merck
Used in preparation of ammonia buffer
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Ammonium hydroxide
NH4OH
Merck
Used in preparation of ammonia buffer
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Electrochemical cell
Container for electrochemical experiments, made of Kelef
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Gold disc
Counter electrode in electrochemical cell
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Ag/AgCl reference electrode
Reference electrode for potential measurements
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Viton O-ring
Viton
Used to prevent leakage in the electrochemical cell
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Ag(111) single crystal
Working electrode for electrodeposition
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