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间隙氮诱导内建极化电场提升Zn2SnO4N光电极的电化学性能

DOI:10.1016/j.jallcom.2019.02.033 期刊:Journal of Alloys and Compounds 出版年份:2019 更新时间:2025-11-14 17:04:02
摘要: 通过一步微波辅助溶剂热法成功制备了高活性Zn2SnO4N光催化剂。氮杂原子通过占据间隙位点引入Zn2SnO4晶格,诱导形成内建极化电场和杂质能级,这有利于促进光生电子-空穴对的分离与迁移。结果表明,所制备的Zn2SnO4N展现出更优的光电化学性能,其对罗丹明B的光降解速率较纯Zn2SnO4提高了3.3倍。在内建电场作用下,杂质能级作为电子跃迁的跳板而非复合中心,从而增强了光催化性能。该发现为理解掺杂改性机制提供了新思路。
作者: Min Wang,Guoqiang Tan,XinLei Zhang,Ao Xia,Dan Zhang,Bin Li,Long Lv,Ying Wang,Huijun Ren,Yun Liu
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研究概述 实验方案 设备清单

通过间隙氮掺杂增强Zn2SnO4的光电化学性能,该方法能诱导内建极化电场和杂质能级,从而改善载流子分离与迁移,提升光催化活性。

Zn2SnO4N光催化剂由于间隙氮掺杂产生的内建极化电场和杂质能级,显著提升了光生载流子的分离与迁移效率,从而表现出增强的光催化活性。其罗丹明B降解速率较纯Zn2SnO4提高了3.3倍。该研究为开发高性能光催化剂提供了新策略,在环境净化和太阳能转化领域具有重要应用前景。

该研究仅限于紫外光照射,未探究可见光或其他条件下的性能。氮掺杂量较低可能影响XPS检测深度。潜在优化方向包括扩大合成规模及测试其他污染物或实际应用场景。

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