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柔性TiO2@Cf忆阻器交叉阵列中的电阻开关行为与机制

DOI:10.1016/j.ceramint.2019.02.068 期刊:Ceramics International 出版年份:2019 更新时间:2025-11-14 17:03:37
摘要: 基于纤维的忆阻器有望成为未来可穿戴非易失性设备的最理想候选材料之一。本研究通过水热法制备了包覆金红石相二氧化钛纳米棒(TiO2 NRs)的碳纤维(记为TiO2@Cf),并在聚酰亚胺(PI)薄膜上轻松组装了柔性TiO2@Cf忆阻器交叉阵列。该器件展现出双向阈值切换行为,最大开关比达10^5。此外,通过连续偏压扫描循环可实现对忆阻器电导的连续调控。器件还表现出超过1500次循环的优异耐久性且漂移可忽略。采用福勒-诺德海姆隧穿模型解释了TiO2@Cf忆阻器交叉阵列的载流子输运与电阻切换机制:外加电场使TiO2中的氧空位(OV)向TiO2/Cf界面迁移,从而减小耗尽区并增强电流。本研究深化了对柔性TiO2@Cf忆阻器交叉阵列电阻切换行为及相关机理的理解,为忆阻器在人工突触和柔性器件中的潜在应用开辟了新途径。
作者: Simin Hu,Jianling Yue,Zuojuan Du,Chunqi Wang,Chao Jiang,Xiuzhi Tang,Xiaozhong Huang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究柔性TiO2@Cf忆阻器交叉阵列的电阻开关性能与机制,以探索其在人工突触和可穿戴设备中的潜在应用。

柔性TiO2@Cf忆阻器交叉阵列展现出优异的阻变特性,具有高开关比、模拟阻变行为和良好耐久性,这归因于氧空位迁移和福勒-诺德海姆隧穿效应。该研究推进了此类器件在人工突触和柔性神经形态系统中的应用认知。

该论文未明确提及具体局限性,但潜在的优化方向可能包括:扩展至更大规模阵列、反复弯曲条件下的长期稳定性,以及与其他电子元件集成以实现实际可穿戴应用。

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