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[2019年德国慕尼黑国际激光与光电会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）] 2019年欧洲激光与光电会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）——孤子克尔频率梳形成过程中脉冲驱动的失同步现象
摘要： MRED是一个基于Python语言的可编程计算机应用程序，用于模拟辐射输运过程。它是在线工具CRèME-MC的计算引擎。该程序以Geant4的C++代码为基础，并整合了额外的Fortran组件，从而实现对电子输运和核反应的高精度模拟。我们详细阐述了MRED的结构体系以及用于模拟电子器件与电路辐射效应的物理过程实现方案，通过大量讨论和参考文献验证了相关物理过程模拟模型的可靠性。文中总结了MRED的若干应用案例，展示其预测和描述电子电路/器件辐照相关基础物理现象的能力，包括单粒子辐射效应（含直接电离与间接电离效应）、剂量增强效应及位移损伤效应。MRED模拟还帮助发现了实验未曾观测到但后续得到证实的新型单粒子翻转机制，例如μ子与高能电子引发的翻转效应。
关键词： 单粒子翻转、单粒子效应、总电离剂量、辐射效应、位移损伤、蒙特卡罗方法、辐射输运、MRED（蒙特卡罗辐射效应模拟程序）
更新于2025-09-23 15:21:01
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质子辐照诱导的ZnO薄膜晶体管位移损伤：损伤位置的影响
摘要： 我们基于位移损伤（DD）效应在器件结构中的起源位置，研究了其对氧化锌薄膜晶体管（TFTs）电学特性的影响。承受最大质子剂量的区域会引发该特定位置的显著DD效应。我们制备了两种不同钝化层厚度的ZnO TFTs，以使最大质子剂量分别集中在ZnO沟道层或ZnO/SiO2界面处。这些器件经能量为200 keV、注量为1×101?质子/cm2的质子束辐照后，通过物质中离子轨迹（TRIM）模拟及非电离能量损失（NIEL）深度分布计算，揭示了这两类样品在器件深度方向上不同的质子剂量分布曲线和NIEL分布曲线。当最大质子剂量峰值出现在ZnO/SiO2界面时，样品的电学特性出现显著退化；而当最大质子剂量被ZnO层吸收时，样品仅产生可忽略的退化。因此，研究质子辐照ZnO TFTs的辐射硬度具有重要价值——因为位移损伤对器件特性的影响程度会随损伤位置不同而发生剧烈变化。
关键词： 氧化锌、非电离能损、位移损伤、薄膜晶体管、质子辐射效应
更新于2025-09-23 15:21:01
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波导集成硅基锗p-i-n光电二极管对中子位移损伤的响应
摘要： 已研究了14 MeV中子位移损伤（DD）对硅光子学中波导集成锗硅p-i-n光电二极管（PD）的影响，中子注量最高达7.5×1012 n/cm2（14 MeV）或1.4×1013 n1-MeVeq/cm2（Si）。研究内容包括：150-375 K温度范围内的暗电流-电压特性测量、PD结电容测量、1260 nm至1360 nm波段的光谱响应测量以及频率响应测量。发现这些器件易受DD诱导的载流子移除效应影响；但在所研究的DD剂量水平下，其性能未出现显著退化仍可正常工作。由于PD测试芯片包含将光信号传输至PD的硅光子集成光栅耦合器和波导，因此也可推断DD对这些无源器件的影响。本研究未考察DD的短期退火或瞬态行为，仅关注室温退火初始阶段后残留的永久性损伤。
关键词： 位移损伤、光子学、辐射效应、中子辐射、光电二极管、光电子器件
更新于2025-09-12 10:27:22
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质子和电子辐照诱导缺陷对砷化镓太阳能电池暗电流的影响
摘要： 相同剂量的非电离能量通过1 MeV质子和电子辐射沉积在砷化镓(GaAs)太阳能电池中。通过温度依赖的暗态I-V分析检测并表征所产生的缺陷，并将能级与通过导纳谱观测到的陷阱态相关联。在质子和电子辐射引入的缺陷能级之间观察到显著差异：前者复合中心位于带隙中间位置，而后者则分布在带隙更宽的能量范围内。这导致空间电荷区复合电流的退化存在显著差异。另一方面，中性区扩散电流的退化由太阳能电池前后异质结界面的复合速度决定，这些速度仅取决于位移损伤剂量，而与粒子类型无关。
关键词： 复合电流、半导体器件建模、表面复合、位移损伤、辐照诱导缺陷、砷化镓太阳能电池
更新于2025-09-12 10:27:22