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手套箱内低温退火的高效钙钛矿太阳能电池可控多步制备方法
摘要： 通过低温工艺，在手套箱中实现了一种可控的两步法，避免了传统两步法中需将样品从手套箱转移至空气中退火，并借助水分辅助结晶的步骤。进一步利用再涂覆FA0.9MA0.1I溶液来优化已形成的钙钛矿，最终通过固液反应制备出高效钙钛矿太阳能电池。
关键词： 低退火温度，钙钛矿太阳能电池，多步法，免退火
更新于2025-09-23 15:19:57
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通过碱土金属硼酸盐在低温退火条件下向h-BN中掺杂碳以实现光氧化还原活性
摘要： BCN（氮化硼碳）纳米片因其可调的带隙和独特性质，有望成为通过可见光驱动水分解和二氧化碳还原制备太阳能燃料的光催化剂材料。从热力学角度看，通过热退火向六方氮化硼（h-BN）中掺杂碳元素虽能制备出在可见光照射下具有光催化活性的BCN纳米片，但通常需要极高温度（>1250°C）。本研究报道了一种新方法：通过添加碱土金属化合物，在低于平衡态的退火温度（1000°C）下制备具有可见光光催化活性的BCN纳米片。在硼酸盐熔体中形成的BCN纳米片呈现清晰的层状结构，具有可调带隙，并在可见光照射下展现出水分解和二氧化碳还原的光催化活性。这为利用碱土金属硼酸盐在低温退火条件下向h-BN中掺杂其他元素提供了方向。
关键词： h-BN（六方氮化硼）、低退火温度、BCN纳米片、水分解、二氧化碳还原、碳掺杂、光氧化还原活性、碱土金属硼酸盐
更新于2025-09-22 17:21:58
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具有低退火温度下高迁移率的双有源层InZnO:N/InZnSnO薄膜晶体管
摘要： 本文成功制备了具有InZnO:N/InZnSnO（IZO:N/IZTO）双有源层的底栅顶接触薄膜晶体管（TFT）。通过射频磁控溅射法在室温下将IZO:N/IZTO薄膜沉积于SiO2/p-Si衬底上。在可见光范围内，IZO:N薄膜与IZTO薄膜的透光率均超过80%。X射线衍射（XRD）分析表明，在325°C退火温度下，IZO:N薄膜与IZTO薄膜均呈非晶态。该双有源层IZO:N/IZTO TFT展现出优异的电学性能：饱和迁移率达41.5 cm2 V?1 s?1，开关电流比达2.88×10?，阈值电压为1.0 V，实现了在325°C低退火温度下的高迁移率特性。
关键词： 低退火温度，射频磁控溅射，高迁移率，氮掺杂铟锌氧/铟锌锡氧，薄膜晶体管
更新于2025-09-09 09:28:46