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具有低退火温度下高迁移率的双有源层InZnO:N/InZnSnO薄膜晶体管

DOI：10.1007/s10854-018-0420-3 期刊：Journal of Materials Science: Materials in Electronics 出版年份：2018 更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要： 本文成功制备了具有InZnO:N/InZnSnO（IZO:N/IZTO）双有源层的底栅顶接触薄膜晶体管（TFT）。通过射频磁控溅射法在室温下将IZO:N/IZTO薄膜沉积于SiO2/p-Si衬底上。在可见光范围内，IZO:N薄膜与IZTO薄膜的透光率均超过80%。X射线衍射（XRD）分析表明，在325°C退火温度下，IZO:N薄膜与IZTO薄膜均呈非晶态。该双有源层IZO:N/IZTO TFT展现出优异的电学性能：饱和迁移率达41.5 cm2 V?1 s?1，开关电流比达2.88×10?，阈值电压为1.0 V，实现了在325°C低退火温度下的高迁移率特性。
作者： Ye Wang，Jinbao Su，Shiqian Dai，Ran Li，Yaobin Ma，Qi Wang，Longjie Tian，Keqing Ning，Xiqing Zhang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

为提高下一代显示技术中低温工艺下基于氧化锌薄膜晶体管的饱和迁移率。

研究成果

双层有源层IZO:N/IZTO薄膜晶体管在325°C的低温退火条件下展现出优异的电学性能，具有高饱和迁移率、适宜的阈值电压和良好的开关比，使其成为下一代显示技术的有力候选。

研究不足

退火温度虽低于以往研究，但仍可能成为某些工业应用的制约因素。该研究聚焦于电学性能和透明度，但可能未涵盖耐久性和长期稳定性的所有方面。

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