研究目的
研究采用轻掺杂n型准分子激光晶化锗薄膜制备高性能p沟道薄膜晶体管及其性能表现。
研究成果
采用ELC和CD工艺成功制备了高性能p沟道锗薄膜晶体管，展现出优异的场效应迁移率与高开关电流比。该研究揭示了轻掺杂n型ELC锗薄膜在未来新型晶体管及三维集成电路应用中的潜力。
研究不足
该研究受限于ELC和CD工艺的特定条件，且薄膜晶体管的性能可能因不同的制造参数而有所变化。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用准分子激光晶化（ELC）和反掺杂（CD）技术制备高性能多晶锗（poly-Ge）薄膜晶体管（TFT）。
2：样品选择与数据来源：
在热氧化生长1微米厚SiO2层的六英寸硅片上，沉积了100纳米厚的锗薄膜。
3：实验设备与材料清单：
高密度等离子体化学气相沉积（HDP CVD）系统、KrF准分子激光器、扫描电子显微镜（SEM）、霍尔效应测量仪和拉曼光谱仪。
4：实验流程与操作步骤：
包括锗薄膜的ELC处理、磷离子反掺杂、激活退火以及p沟道锗TFT的制备。
5：数据分析方法：
分析了TFT的电学特性，包括场效应迁移率和开关电流比。
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获取完整内容-
KrF excimer laser
Used for excimer laser crystallization (ELC) of Ge thin films.
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High-density-plasma chemical vapor deposition (HDP CVD) system
Used for depositing Ge thin films.
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Scanning electron microscopy (SEM)
Used for material analysis of Ge thin films.
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Hall effect measurement
Used for determining the type and concentration of majority carriers in Ge thin films.
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Raman spectroscopy
Used for analyzing the quality of Ge thin films.
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