研究目的
研究一种印刷方法制备底栅顶接触（漏极和源极电极）结构的InGaZnO TFT器件，并提出一种阶梯式退火方法，以防止图案化沟道层开裂，并在使用高退火温度时改善沟道层的电学性能。
研究成果
该研究成功展示了一种用于InGaZnO TFT器件的印刷方法，采用阶梯式退火工艺防止开裂并改善电学性能。优化后的印刷TFT表现出8.7 V的阈值电压（VT）、0.071 cm2·V?1·s?1的场效应迁移率以及10?的开关比（Ion/Ioff）。未来工作将聚焦于改善界面以提升性能。
研究不足
该研究承认，与当前薄膜晶体管相比，全印刷制备方法在电学性能上仍存在一定差距，计划通过改进界面（尤其是解决银纳米粒子向沟道层的扩散问题）来提升性能。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用喷墨打印技术制备薄膜晶体管（TFT），利用阶梯退火法防止高温退火过程中图案化薄膜开裂。
2：样品选择与数据来源：
制备了不同铟、镓、锌摩尔比的InGaZnO溶液用于打印。
3：实验设备与材料清单：
设备包括Sonoplot喷头、Si/SiO?衬底及银纳米粒子打印墨水；材料包含硝酸铟、硝酸镓和醋酸锌。
4：实验流程与操作步骤：
依次完成InGaZnO墨水配制、图案化沟道层打印、阶梯退火处理及漏源电极打印。
5：数据分析方法：
采用半导体参数分析仪测试TFT的电学性能。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
Semiconductor parametric instrument
B1500A
Keysight
Used to measure output and transfer curves of TFTs.
暂无现货
预约到货通知
-
Optical microscope
AxioScope A1
Carl Zeiss
Used to observe the microstructures of patterned channel layers.
立即获取同款设备
-
Si wafer
SiO2 thickness of 285 nm
HEFEI KEJING Materials Tech Co., Ltd.
Used as the bottom gate and insulation layer for the TFT devices.
暂无现货
预约到货通知
-
Sonoplot nozzle
10 μm
Sonoplot
Used for printing the InGaZnO solution to form patterned layers.
暂无现货
预约到货通知
-
Silver nanoparticle printing inks
SIJ Technology, Inc.
Used as the raw materials for the drain and source electrodes.
暂无现货
预约到货通知
-
Contact angle tester
DSA25
KRüSS
Used to acquire the contact angle between the printing ink and substrates.
暂无现货
预约到货通知
-
Inkjet printing instruments
Microplotter II and SIJ-S050
Sonoplot and SIJ
Used to prepare patterned channel layers and drain/source electrodes.
暂无现货
预约到货通知
-
登录查看剩余5件设备及参数对照表
查看全部
