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oe1(光电查) - 科学论文

140 条数据
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  • 黄铜矿电极间大气压空气中过应力纳秒放电的光学特性

    摘要: 介绍了在过压放电间隙条件下,使用黄铜矿电极(CuInSe2和CuSbSe2化合物)在大气压空气中进行高电流纳秒放电光学特性研究的结果。当采用工作部分曲率半径相对较大(3毫米)的电极及特殊表面隔离系统时,在毫米级间距内获得了较为均匀的纳秒放电。研究测量了放电的电学与光学(光谱和时间分辨)特性。基于电子能量分布函数的玻尔兹曼方程求解,模拟了含少量易电离杂质(以铜蒸气形式存在)空气等离子体的参数。

    关键词: 光学特性、黄铜矿电极、过应力纳秒放电、空气等离子体

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 小鼠经颅光生物调节治疗协议

    摘要: 经颅光生物调节是一种潜在的创新非侵入性治疗手段,可改善大脑生物能量学、多种神经精神疾病的脑功能,并增强与年龄相关的认知衰退和神经退行性疾病中的记忆力。我们描述了小鼠经颅光生物调节治疗(PBMT)的实验室方案:对18月龄的BALB/c老年小鼠每日进行一次660纳米激光经颅照射,持续两周。激光透射数据显示,头皮入射红光约1%能穿透至距皮层表面1毫米深度,到达背侧海马区。通过两种方法评估治疗效果:一是评估海马依赖性空间学习和记忆任务的巴恩斯迷宫测试;二是测量作为生物能量学指标的海马ATP水平。巴恩斯迷宫结果显示,与同龄对照组相比,激光治疗的老年小鼠空间记忆能力增强。激光治疗后的生化分析表明海马ATP水平升高。我们推测这种记忆表现的提升可能源于红激光治疗诱导的海马能量代谢改善。该小鼠实验观察结果可推广至其他动物模型,因为本方案可能适用于转化神经科学中常用的其他物种(如兔、猫、狗或猴)。经颅光生物调节是一种安全且具成本效益的治疗方式,在年龄相关认知障碍治疗领域具有应用前景。

    关键词: 低强度激光疗法、光学特性、红光、海马体、小鼠、衰老、经颅光生物调节、学习、记忆、第141期、神经科学

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • Ca?TaGa?Si?O??单晶的生长与光学性质

    摘要: 采用提拉法沿Y轴方向,在Ar+(0.5–3)% O2气氛中生长出透明淡黄色Ca3TaGa3Si2O14单晶。通过X射线形貌术和摇摆曲线法研究了样品的结构完整性。测量了Y向和Z向切割面在表面处理(抛光与腐蚀)前后的形貌图及摇摆曲线。测定了200–3300 nm波长范围内的透射光谱,研究了X轴和Z轴方向的光学各向异性以及X轴方向的二向色性,并采用分光光度法测定了折射率No的色散及偏振面旋转的特异性。

    关键词: 光学特性、直拉法技术、单晶、Ca3TaGa3Si2O14、X射线形貌术

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 基于混合多波长激光雷达数据的气溶胶光学与微物理参数反演——DISCOVER-AQ 2011项目

    摘要: 首次从混合多波长激光雷达数据集中获取了气溶胶微物理特性(有效半径、体积浓度和表面积浓度)及气溶胶光学特性(复折射指数与单次散射反照率)。2011年7月,在DISCOVER-AQ计划首次部署期间,研究团队对巴尔的摩-华盛顿特区区域采用机载(原位与遥感)和地基遥感系统协同开展了气溶胶光学与微物理特性的剖面探测。该混合多波长激光雷达数据集整合了地基355纳米弹性后向散射激光雷达测量数据、机载532纳米高光谱分辨率激光雷达(HSRL)测量数据,以及相距不足5公里处获取的1064纳米弹性后向散射激光雷达测量数据。这是首个在白天获取激光雷达光学与微物理反演结果,并直接与AERONET及原位测量进行11组案例对比的研究。激光雷达与AERONET反演结果呈现良好一致性,而激光雷达反演结果与飞机原位测量之间存在较大差异,研究认为气溶胶吸湿效应是导致该差异的主要因素。

    关键词: 气溶胶、激光雷达、DISCOVER-AQ(发现空气质量)、微物理特性、光学特性

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 水力微机械活化后煅烧ZnO+Mg(OH)?制备的Zn???Mg?O的结构与光学性能

    摘要: 根据专利WO2018065735A1,通过水力微机械活化后的ZnO+Mg(OH)2煅烧,在0.15(≤x≤1)的组成范围内制备出Zn1-xMgxO微晶。样品结构特性显示:当x值介于0.15至0.6时,纤锌矿相与岩盐相共存且立方相比例随x值增加而显著提升;在0.66≤x<1范围内则仅观察到单一立方相。这些以极低成本制备的高纯度样品,因其展现出异常高效(且温度稳定性良好)的紫外光发射特性,有望作为先进发光器件生长的前驱体,直接集成至现有工艺流程中。

    关键词: 光学特性、氧化物、紫外发射、宽禁带半导体

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 用于薄层转移应用的纳米多孔硅基底的结构和光学性能优化

    摘要: 本文研究了纳米多孔硅的光学与结构特性。样品通过电化学腐蚀重掺硼硅片制备,采用氢氟酸电解液,并在超高真空化学气相沉积反应器(UHVCVD)中于900至1100°C高温氢气环境下进行原位烧结。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)分析其结构与形貌特性;通过光致发光光谱(PL)、时间分辨光致发光(TRPL)、拉曼光谱及傅里叶变换红外光谱(FT-IR)测定光学性质。研究表明:900°C原位加热可脱除多孔层原生氧化层并封闭孔隙,在多孔层顶部形成连续无缺陷表面。该工艺能获得结构与光学性能增强的稳定多孔层,同时调控形貌特性与可见光发射。本文旨在全面测定烧结多孔硅的物理特性,尤其聚焦其结构与光学性质。

    关键词: 结构特性、光学特性、纳米多孔硅、薄层转移、烧结

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 倾斜调制手征雕刻薄膜中滤光片与激光反射镜的窄化

    摘要: 螺旋多层纳米结构具有引人入胜的光学特性,可用于开发各类光学与光子器件。这类螺旋材料的光学特性与螺旋旋转密切相关。倾斜调制手征雕刻薄膜(STF)能根据振荡角度幅值的变化,在布拉格区域完全反射或透射光线。特别地,相同旋向性的扭转缺陷手征STF会在不同振荡幅值下为圆偏振光形成光谱孔洞。通过缺陷调制的手征STF可构建窄带阻/宽带通滤波器及布拉格反射镜。当增加手征STF结构半周期内的振荡次数时,滤波器会呈现平坦化且更窄的频响,并伴随蓝移现象。大量振荡情况下,调制手征STF会表现出激光镜特性,并在布拉格区域产生布拉格条纹。类似地,对于不同入射角度的光线,光谱孔洞和光学滤波器的带宽会变窄并向更短波长区域移动,最终在布拉格区域消失——其中大入射角时光线的反射率达到最大值。因此建议此类手征STF非常适用于工作在不同波长范围的光学器件。

    关键词: 电磁波、激光反射镜、光学特性、布拉格反射器、光学滤光片

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 用于晶体硅太阳能电池的具有三角锥纹理的光学功能薄膜

    摘要: 提出一种具有三角锥形纹理的光学功能薄膜,用于降低晶体硅电池的反射损耗,以解决直接在晶体硅表面制备陷光纹理会导致电池中光生载流子复合增强的问题。建立了三角锥形纹理光学功能薄膜表面光反射与折射损耗模型,随后将该薄膜键合至晶体硅电池光滑表面并优化三角锥底面与侧面的夹角。根据三角锥形纹理光学功能薄膜的大面积制备工艺,获得了该纹理薄膜的适宜结构参数。采用超精密切削、电铸及压印工艺制备出三角锥形纹理光学功能薄膜,并分析了制备精度对薄膜光学性能的影响。实验与分析结果表明:采用该三角锥纹理薄膜后,光滑表面晶体硅电池的反射损耗从22.3%降至7.2%,光伏转换效率从18.30%提升至20.47%。与传统纹理晶体硅电池相比,采用该光学功能薄膜的光滑表面晶体硅电池光伏转换效率提高了0.99%。三角锥形纹理光学功能薄膜能有效提升光滑表面晶体硅电池的吸光率与光伏转换效率。

    关键词: 三角锥体,光学特性,晶体硅电池,光伏转换效率,光学功能纹理薄膜

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 单半导体量子点的共振荧光:静电环境波动的影响

    摘要: 半导体量子点是单光子及高度不可区分光子的极高效来源。这些特性依赖于在单自旋层面实现系统相干控制的可能性。在这种终极控制水平下,量子点成为其固态环境极为敏感的探针,任何相互作用都会转化为改变其相干特性的退相位过程。在本专题综述中,我们概述了电荷噪声问题——这一仍需克服的主要退相位机制。该现象与样品制备密切相关,源于量子点周围波动的静电环境,导致难以形成统一描述。我们展示了单量子点共振荧光实验中观测到的电荷噪声共同特征,并讨论了文献中为解决该问题提出的不同方法。

    关键词: 量子点、量子相干性、光学特性、共振荧光、激子、III-V族半导体

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 表面改性和激光重复频率对柔性钛金属箔上氮化镓纳米棒生长、结构、电子及光学性质的影响

    摘要: 研究了激光分子束外延生长过程中柔性钛金属箔表面改性与激光重复频率对氮化镓纳米棒形貌演变及其结构、电学与光学特性的影响。实验在700°C下分别采用不同激光重复频率(10-30 Hz)在裸钛箔和预氮化钛箔基底上生长GaN纳米结构。结果表明:低重复频率(10 Hz)促进预氮化钛表面形成稀疏的三维倒锥状GaN纳米结构,而30 Hz生长时整个钛箔基底几乎被大晶粒组成的膜状GaN覆盖。当采用20 Hz生长时,预氮化钛箔上成功制备出均匀排列、高密度(~8×10? cm?2)的GaN纳米棒阵列,而相同条件下裸钛箔仅获得稀疏的垂直GaN纳米棒。X射线光电子能谱分析证实生长结构中存在Ga-N键合,且预氮化钛箔上生长的GaN纳米棒呈现富镓化学组成。相比Ga-N反应,裸钛基底更易发生Ti-N优先反应导致GaN纳米棒稀疏生长,因此钛箔预氮化是获得致密排列GaN纳米棒阵列的必要条件。X射线衍射、高分辨透射电镜及拉曼研究表明,氮化镓纳米棒沿纤锌矿结构c轴生长,具有优异的结晶质量与结构完整性。室温光致发光光谱显示致密GaN纳米棒在3.42 eV处呈现近带边发射峰,半高宽为98 meV。这种在柔性基底上实现的高结构/光学质量密度可控GaN纳米棒生长,为未来柔性氮化镓光电子器件与传感器的应用提供了重要前景。

    关键词: 钛金属箔,激光分子束外延,光学特性,氮化镓纳米棒,结构特性,表面改性,电子特性,激光重复频率

    更新于2025-09-23 15:19:57