采用紧密堆叠InAs/GaAs量子点的半导体光放大器偏振不敏感光纤到光纤增益

摘要： 通过光纤-光纤测量系统研究了包含四十层紧密堆叠InAs/GaAs量子点（QDs）的半导体光放大器（SOA）增益特性。对于横电（TE）和横磁（TM）偏振光输入信号，测得的光纤-光纤增益值均在1100纳米波长处达到最大值，该波长对应紧密堆叠量子点的激发态。在1060至1170纳米波长范围内，当注入电流为80毫安时，TE偏振输入信号的增益略高于TM偏振输入信号，且两者绝对增益差小于1分贝。这种微小但非零的增益差异反映了紧密堆叠量子点所提供光学增益的偏振各向异性。研究结果表明，紧密堆叠量子点适用于实现工作带宽超过100纳米的偏振不敏感SOA器件。