基于非晶掺铟氧化镓薄膜的具有准齐纳隧穿效应的快速响应日盲光电探测器

摘要： 基于射频磁控溅射技术在室温下制备的非晶掺铟氧化镓（Ga2O3）薄膜，我们构建了一种具有金属-半导体-金属结构的高性能日盲紫外光电探测器。该探测器在235纳米波长下展现出18.06 A/W的高响应度，同时具备4.9微秒的快速上升时间和230微秒的快速衰减时间。由于铟元素的掺杂，其探测范围较单一Ga2O3光电探测器显著拓宽。此外，薄膜中不同区域的不均匀铟分布导致电阻差异，从而形成了准齐纳隧穿内增益机制。这种准齐纳隧穿内增益机制对提升响应速度和响应度具有积极影响。